Пошуковий запит: (<.>TJ=Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Kononchuk G. L. Polarization unstabilities in a quasi-isotropic He-Ne laser in axial magnetic field. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 2. |
Movchan S. Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 3. |
Belyaev A. A. Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 4. |
Indutnyi I. Z. Relaxation of photodarkening in SiO - As2(S,Se)3 composite layers. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 5. |
Stronski A. V. Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 6. |
Boyko O. V. Iodine-stabilized He-Ne laser pumped by transverse rf-discharge. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 7. |
Avramenko S. F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 8. |
Sachenko A. V. On the collection of photocurrent in solar cells with a contact grid. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 9. |
Mazur Yu. I. Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg1-x-yCdxMnyTe. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 10. |
Vitusevich S. A. Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 11. |
Snopok B. A. Thin films of organic molecular crystals (OMC) possessing type B lattice: spatial structure of dibenzotetraazaannulene film is related to its thickness. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 12. |
Serdega B. K Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 13. |
Kryshtab T. G. TiB2/GaAs and Au - TiB2/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 14. |
Sizov F. F. IR sensor readout devices with source input circuits. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 15. |
Ishchenko S. ENDOR study of irradiated tooth enamel. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 16. |
Kulish N. R. Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 17. |
Mitin V. F. Resistance thermometers based on the germanium films. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 18. |
Litovchenko P. G. Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 19. |
Datsenko L. I. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 20. |
Rengevych O. V. Separate determination of thickness and optical parameters by surface plasmon resonance: accuracy consideration. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
