Досліджено новий тип оптично керованого тунельного процесу в спеціально виготовлених діодах Єсакі. Спостерігається поява додаткового піку на ВАХ завдяки тунелюванню 2D електронів, що акумулюються в основному стані дельта легованих шарів, вирощених в області p-n переходу, в валентну зону р+-контакту. Встановлено, що положення резонансного піку зміщується в сторону менших напруг при підвищенні як інтенсивності освітлення, так і температури. Експериментальні дані та теоретичне моделювання показують, що цей зсув є результатом перерозподілу напруження електричного поля в області p-n переходу, обумовленого нерівноважними носіями струму, які генеруються при оптичному або термічному збудженні.

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Главін Борис Анатолійович (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"