Кремнієві прилади зчитування інформації з n⁺ - p- чи p⁺ - n-фотогальванічних багатоелементних масивів були розроблені, вироблені та протестовані при температурах Т = 77...300 К. Розроблені прилади включають в себе узгоджуючі ланцюги (схеми з прямою інжекцією та з буферизованою прямою інжекцією) та ПЗЗ-мультиплексори. Тестові транзистори, які знаходяться на кристалах приладів, імітують вихідний сигнал фотодіодів КРТ шляхом підключення витоків транзисторів прямої інжекції до загальних навантажувальних резисторів. Прилади були спроектовані для лінійних масивів 2 times 64 n⁺ - p- чи p⁺ - n-> та матричних, з часовою затримкою та накопиченням, 2 times 4 times 128 (144) n⁺ - p- >фотодіодів КРТ. Прилади реалізують режими роботи з діленням та відніманням заряду та виготовлені за n- чи р-МОН-технологією з ПЗЗ-регістрами з об'ємним каналом. Передача заряду у ПЗЗ здійснюється чотирьох- або двофазними тактовими імпульсами.

• Сизов Федір Федорович (1946–) (фізико-математичні науки)
• Рева Володимир Павлович (технічні науки)
• Корінець Сергій Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"