Litovchenko P. G. Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons = Напівпровідникові сенсори для дозиметрії епітермальних нейтронів / P. G. Litovchenko, R. Moss, F. Stecher-Rasmussen, K. Appelman, L. I. Barabash, T. I. Kibkalo, V. F. Lastovetsky, A. P. Litovchenko, M. B. Pinkovska // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 90-91. - Библиогр.: 4 назв. - англ.Мінімальна енергія нейтронів, необхідна для зміщення атомів у кристалах кремнію, дорівнює 200 еВ. Тому проводилось тестування виготовлених р-і-n діодів при опроміненні епітермальними нейтронами. В роботі використовувались р-і-n діоди з поліпшеними характеристиками на основі високочистого кремнію, і в результаті одержані значно більш чутливі сенсори для широкого інтервалу доз нейтронів. Чутливість сенсорів складає 0,14 В/Гр для середньої енергії нейтронів 24 КеВ. Ключ. слова: dosimetry, semiconductor detectors, epithermal neutrons, silicon, converter Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|