Монокристалічні SіC злитки було вирощено модифікованим методом Лелі з використанням у якості затравки 6Н - SiC кристалів з базовою площиною (0001). Ріст кристалів відбувався при температурі 2200 - 2500 °С і тиску аргону 2 - 40 мбар. Швидкість росту в напрямку С-осі змінювалась від 0,3 до 1,5 мм/год. Протягом 15 годин росту ми отримували злитки з корисним діаметром 35 мм. Для визначення політипного складу злитків використовувалась спектроскопія комбінаційного розсіяння світла. Структурні дефекти досліджувались за допомогою оптичного мікроскопа, що працював як на відбивання, так і на пропускання, а також за допомогою селективного травлення. В кращих зразках густина дислокацій не перевищувала 10² см^-2, мікротрубок - 10 - 20 см^-2, а блоки були повністю відсутні.

• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"