Розглядаються особливості процесів структурної релаксації в приладних структурах TiB₂/GaAs та Au - TiB₂/GaAs при швидкому термічному відпалі. Дані структури були отримані методом магнетронного розпилення в атмосфері аргону. Плівки наносились на монокристалічні підкладки GaAs, отримані методом Чохральського. Швидкість напилення складала ~ 5 A/сек, товщина напилених шарів - 10 та 50 нм. Зразки відпалювались протягом 1 хв при температурах 400 °С, 600 °С та 800 °С. Рентгенодифракційними методами було показано, що при магнетронному напиленні плівок дибориду титану в перехідному шарі підкладок GaAs утворюються тверді розчини титану та бору, а також ймовірне утворення деяких інших фаз із елементів контактуючих матеріалів. При швидкому термічному відпалі має місце не тільки релаксація механічних напруг, а й розпад твердих розчинів, генерація дислокацій, перерозподіл точкових дефектів. Процеси структурного упорядкування мають немонотонну залежність від температури і відрізняються для різних структур.

• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Прокопенко Ігор Вікторович (медичні науки)
• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"