В роботі досліджується реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння), DELTA Eg, наночастинок As₂S(Se)₃ в матриці SiO. Спостерігалось значне збільшення DELTA Eg (до чотирикратного) при зменшенні розмірів часток халькогеніду в композитних SiO - As₂S(Se)₃ шарах порівняно з суцільними халькогенідними плівками. Одержано експоненційну залежність DELTA Eg від часу зберігання при різних температурах. Енергія активації структурного переходу наночасток As₂S₃ від метастабільного, фотозбудженого до основного, відпаленого стану складає 0,78 +- 0,06 еВ. Ефект пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв та впливом розміру наночасток халькогеніду на структурну релаксацію в масштабі середнього порядку.

• Індутний Іван Захарович (1949–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"