Stronski A. V. Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films = Спектри комбінаційного розсіювання у халькогенідних плівках, фотолегованих сріблом та міддю / A. V. Stronski, M. Vlchek, A. I. Stetsun, A. Sklenar, P. E. Shepeliavyi // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 63-68. - Библиогр.: 37 назв. - англ.Досліджено спектри комбінаційного розсіяння фотолегованих Ag, Cu та нелегованих шарів As40S60, As40S40Se20, As40Se60. Спектри аналізувались в рамках молекулярної моделі. Встановлено, що для спектрів фотолегованих шарів As40S60, As40S40Se20 є властивим зсув максимумів головних смуг в бік більш високих частот і поява додаткових смуг розсіяння у низькочастотній ділянці спектра. У спектрі фотолегованого шару As40Se60 не спостерігається cуттєвого зсуву максимуму основної смуги та значного збільшення розсіяння в низькочастотній ділянці спектра. Зміни у спектрах комбінаційного розсіяння при фотолегуванні Ag чи Cu узгоджуються з припущенням про формування координаційних та звичайних ковалентних зв'язків між атомами халькогену та металу. Така поведінка узгоджується з принципом, який пояснює слабкий вплив домішок на електрофізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників, коли валентні вимоги домішки задовольняються переважно за рахунок неподілених пар електронів. Ключ. слова: arsenic chacogenides, thin films, photodoping, Raman spectroscopy Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|