Пошуковий запит: (<.>TJ=Оптоэлектроника и полупроводниковая техника<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 395
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Вахула А. А. Оптимизация оптических параметров тонких пленок для колориметрического анализа газовых сред. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 2. |
Сукач А. В. Особенности процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда в p-InAs. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 3. |
Ширшов Ю. М. Определение оптических констант тонких пленок полианилина с помощью поверхностного плазмонного резонанса. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 4. |
Морозовская А. Н. Наноразмерные сегнетоэлектрики: (обзор). — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 5. |
Глинчук К. Д. О люминесцентном методе оценки качества кристаллов <$E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te}>, используемых для создания эффективных детекторов ядерного излучения. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 6. |
Бережинский Л. Й. Стокс-поляриметрический анализ внутреннего отражения, основанный на модуляции поляризации электромагнитного излучения. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 7. |
Литовченко Н. М. Вплив наноструктур, сформованих на поверхні кристалів CdZnTe методом лазерного сканування, на спектри їх низькотемпературної фотолюмінесценції. — 2009 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 8. |
Сукач А. В. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p - n-переходів. — 2010 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 9. |
Власенко Н. А. Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния. — 2010 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 10. |
Литовченко Н. М. Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1-xZnxTe, облученных gamma-квантами. — 2010 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 11. |
Тріщук Л. І. Вирощування монокристалів телуридів цинку та кадмію кристалізацією із розчинів-розплавів. — 2009 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 12. |
Венгер Є. Ф. Магніторефрактивний ефект у монокристалах ZnO та 6H-SiC. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 13. |
Охрименко О. Б. Энергетические состояния в кристалле TlGaS2. — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 14. |
Власенко Н. А. Апробация фотодеполяризационной спектроскопии как методика исследования электронных переходов в пленках SiOx и SiOx:Er, F. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 15. |
Романюк Б. М. Фотолюмінесценція нанокластерів у шарах SiO2, імплантованих іонами кремнію та вуглецю. — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 16. |
Сукач А. В. Процессы генерации и рекомбинации носителей в арсениде индия и фотодиодах на его основе. — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 17. |
Томашик З. Ф. Травильні композиції на основі розчинів HNO3 - HBr - розчинник для хімічної обробки поверхні InAs, InAs(Sn), InSb та GaAs. — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 18. |
Тріщук Л. І. Вирощування монокристалів сульфоселенідів цинку та кадмію кристалізацією із розчинів в розплавах Cu2Se i Ag2Se. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 19. |
Ляшенко О. В. Зсув спектрів електролюмінесценції та акустична емісія в світловипромінювальних структурах GaP0,85As0,15/GaP. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 20. |
Минько В. І. Інтерференційна фотолітографія з використанням трикомпонентного халькогенідного фоторезиста. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
