Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) структур SiO2 - Si, імплантованих іонами вуглецю в інтервалі доз <$E 2,5~cdot~10 sup 15~-~2~cdot~10 sup 16~roman см sup -2> і кремнію з дозою <$E 6~cdot~10 sup 16~roman см sup -2>. Показано, що після термічних відпалів в спектрах ФЛ проявляються чотири смуги ФЛ зі спектральними максимумами за умови 360, 425, 540 і 700 нм. Смуга 700 нм з'являється після високотемпературних відпалів і пов'язується з формуванням нанокристалів кремнію в SiO2-матриці. Характеристики інших смуг залежать від концентрації вуглецю та температур відпалу. Показано, що за температури 1000 <$E symbol Р>C формуються центри безвипромінювальної рекомбінації, які призводять до суттєвого зменшення інтенсивності ФЛ всіх смуг. На підставі одержаних результатів та опрацьованих літературних даних запропоновано фізичну модель виникнення вказаних смуг ФЛ.

• Романюк Борис Миколайович (фізико-математичні науки)
• Попов Всеволод Геннадійович (фізико-математичні науки)
• Попов Валентин Георгійович (фізико-математичні науки)
• Мельник Віктор Павлович (1963–) (фізико-математичні науки)
• Мельник Володимир Петрович (юридичні науки)
• Мельник Валентин Павлович (технічні науки)
• Мельник Володимир Петрович (1952–) (філософські науки)
• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)
• Оберемок Олександр Степанович (фізико-математичні науки)
• Хацевич Ігор Мирославович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"