Рассмотрены особенности процесса рекомбинации неравновесных носителей заряда (ННЗ) в арсениде индия p-типа проводимости. Выполнены расчеты концентрационных зависимостей времени жизни ННЗ для конкурирующих процессов межзонных излучательной и оже-рекомбинаций в диапазоне концентраций равновесных дырок <$E p sub 0~=~1~cdot~10 sup 15~-~1~cdot~10 sup 17~roman см sup -3>. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных данных, в результате чего установлено, что при T = 77 К процессом, лимитирующим время жизни ННЗ, является в основном излучательная рекомбинация. Вклад оже-процесса незначителен и проявляется при концентрации дырок <$E p sub 0~>>~1~cdot~10 sup 16~roman см sup -3>. Экспериментальные данные хорошо согласуются с расчетными. При T = 300 К расхождение расчетных и экспериментальных данных может обуславливаться влиянием рекомбинации Шокли - Рида - Холла. Показано, что температурная зависимость времени жизни ННЗ в p-InAs для интервала температур 77 - 300 К может быть достаточно корректно объяснена совместным действием излучательной и рекомбинации Оже с участием спин-орбитально отщепленной зоны и зоны легких дырок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"