Рассмотрены процессы генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда (ННЗ) в арсениде индия и фотодиодах на его основе. Рассчитано время жизни ННЗ для межзонной излучательной рекомбинации, а также оже-рекомбинации в рамках трех- и четырехзонной моделей Кейна в n-InAs. Для существующих моделей рекомбинации ННЗ рассчитаны теоретически возможные предельные параметры фотодиодов. Экспериментальные данные получены для InAs-фотодиодов на основании диффузионных гомопереходов, а также <$E p sup + - roman InAsSbP "/" n- roman InAs> гетеропереходов. Показано, что при комнатной температуре в фотодиодах обоих типов преобладает диффузионный механизм переноса заряда, а их пороговые параметры (ампер-ваттная чувствительность и удельная обнаружительная способность) имеют приблизительно такие же значения, как и коммерческие InAs-фотодиоды. Вместе с тем фотодиоды на основании гетеропереходов <$E p sup + - roman InAsSbP "/" n- roman InAs> обладают рядом преимуществ (более высоким динамическим сопротивлением и широкой областью чувствительности в максимуме), что открывает возможности для создания на их основе оптоэлектронных сенсоров с улучшенными характеристиками.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + З843.33

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"