Приведены результаты исследований кристаллической структуры и энергетических состояний в слоистом кристалле TlGaS2. На основании анализа спектров комбинационного рассеяния получен вывод об отсутствии структурного фазового перехода в интервале температур 1,8 - 300 K. Рассмотрены механизмы собственной и примесной фотолюминесценции. Предложена схема энергетических уровней, обусловливающих спектр фотолюминесценции непрямого экситона, на основании чего определено энергетическое положение непрямого экситона в кристалле TlGaS2 (2,541 эВ). Показано существование в спектрах поглощения кристалла TlGaS2 антирезонанса Фано, разрешающего существование фотопроводимости в пике экситонного поглощения.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"