РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (37)Автореферати дисертацій (7)
Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 57
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Федосюк В. М. Сверхтонкие электролитически осажденные многослойные Co/Cu- и CoNi/Cu-пленки на арсениде галлия. — 2000 // Металлофизика и новейшие технологии.
2.

Завадский В. А. Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия. — 2002 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
3.

Андронова Е. В. Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb. — 2003 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
4.

Круковский С. И. Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии. — 2002 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
5.

Иванов В. Н. Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах. — 2002 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
6.

Зайченко Л. М. Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред. — 2004 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
7.

Ковтун Г. П. Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского. — 2006 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
8.

Мелебаева Д.  Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni-n-GaAs . — 2008 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
9.

Каримов А. В. Арсенид-галлиевые <$Ebold {p sup + ~-~n~-~p sup + }>-структуры с обедняемой базовой областью. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
10.

Куликов К. В. Высокочастотные параметры нитрида галлия. — 2008 // Техника и приборы СВЧ.
11.

Ковалюк З. Д. Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
12.

Андронова Е. В. Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев. — 2008 // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
13.

Соколов О. Б. Легування твердих розчинів <$E bold {Bi sub 2 (Te, Se) sub 3}> органічними сполуками, що містять галоген. — 2003 // Термоелектрика.
14.

Коваленко В. Ф. Определение вакансионного состава монокристаллов полуизолирующего нелегированного арсенида галлия. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
15.

Томашик В. Н. Химическое травление нелегированного и легированного арсенида индия в растворах системы HNO3 - HBr - диметилформамид. — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
16.

Rogozin I. V. Thermodynamical analysis of intrinsic defects in gallium nitride. — 2004 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
17.

Zhirko Yu. I. Excitons in layered p-gase crystals with two-dimension hole gas. — 2004 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
18.

Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in p - n-junctions on GaP. — 2005 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
19.

Рогозін І. В. Власно-дефектна та домішкова люмінесценція нітриду галію. — 2005 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
20.

Миленин В. В. Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs. — 2006 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського