Изучено влияние мощного кратковременного СВЧ излучения (f = 2,45 ГГц) на дефектные состояния монокристаллов GaAs с помощью исследований спектров люминесценции в области 0,6 - 2,5 мкм при 77 К. Обнаружено, что СВЧ обработка влияет на люминесцентные характеристики кристаллов вследствие изменения концентрации центров излучательной и безызлучательной рекомбинации. Результаты выполненных исследований показывают перспективность использования микроволнового излучения в технологических процессах для модификации примесно-дефектной подсистемы полупроводникового материала.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-01

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Редько Роман Анатолійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"