Приведены результаты исследования спектров фоточувствительности полученных структур Ni-n-GaAs в области энергии фотонов <$Eroman {h~=~0,9~ symbol Ь ~2,3~эВ}> при освещении со стороны полупрозрачного слоя никеля. Впервые экспериментально установлено, что фотоны с энергией <$Eroman {h~=~0,9~ symbol Ь ~1,25~эВ}> не создают возбужденных электронов в слое Ni и эмиссия электронов из Ni в GaAs не происходит. Показана перспективность применения фоточувствительных структур Ni-nGaAs для создания солнечных элементов.

It has been described chemical technology making Ni-n-GaAs photosensitivity structures. It has been represented results of researching of photosensitivity spectrums produced structures in range of photon enegy <$Eroman {h~=~0,9~ symbol Ь ~2,3~eV}> at lighting from the semitrasparent layer of nikel (Ni). At first it has been experimentally established, that photons with <$Eroman {h~=~0,9~ symbol Ь ~1,25~eV}> enegy does not create emission of excited electrons from Ni to GaAs. It has been detected that in Ni-n-GaAs structure Ni subtle layer plate surface strength reflects infrared emission with <$Eroman {h~<<~1,3~eV}> photons energy. It has been shown perspective of application of Ni-n-GaAs photosensitivity ctructures for creating solar elements.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"