Томашик В. Н. Химическое травление нелегированного и легированного арсенида индия в растворах системы HNO3 - HBr - диметилформамид / В. Н. Томашик, 3. Ф. Томашик, Н. В. Кусяк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып. 36. - С. 112-117. - Библиогр.: 14 назв. - рус.Изучен характер растворения нелегированного и легированного InAs в растворах системы HNO3 - HBr-диметилформамид. Построены поверхности равных скоростей травления указанных полупроводниковых материалов и определены лимитирующие стадии процесса. Показано, что в обоих случаях нелегированного и легированного InAs процесс растворения в полирующих растворах лимитируется диффузионными стадиями. Установлено, что легирование арсенида индия оловом приводит к существенному снижению скорости растворения InAs. Определены концентрационные пределы растворов, которые могут быть использованы для различных химических обработок (полирование, селективное травление, химическая резка) арсенида индия. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|