РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000110629<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Ковалюк З. Д. 
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З. Д. Ковалюк, О. И. Кушнир, О. Н. Сидор, В. В. Нетяга // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 1. - С. 61-62. - Библиогр.: 5 назв - рус.

Встановлено, що за тривалої (120 год.) термообробки монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. Досліджені електричні та фотоелектричні характеристики отриманих структур показали перевагу анізотипної гетероструктури n-InS/p-InSe над її ізотипним аналогом. Проведено порівняння спектральних характеристик гетероструктур n-InS/p-InSe, одержаних за різної тривалості відпалу. Для плівки INS визначена величина міжзонних переходів, а також параметри елементарної кристалічної комірки.

Установлено, что при длительной (120 ч) термообработке монокристаллов InSe в парах серы формируется гетероструктура InS/InSe. Исследованные электрические и фотоэлектрические характеристики полученных структур показали существенное превосходство анизотипной гетероструктуры n-InS/p-InSe над ее изотипным аналогом. Проведено сравнение спектральных характеристик гетероструктур n-InS/p-InSe, полученных при разной продолжительности отжига. Для пленки InS определена величина межзонных переходов, а также параметры элементарной кристаллической ячейки.

InS/InSe heterostructures were created by a long-term (during 120 h) thermal processing of InSe monocrystals in sulfur vapor. Investigations of electrical and photoelectric properties of structures manufactured by this method showed essential advantage of the anysotype heterostructure n-InS/p-InSe in comparison with its isotype analog. A comparison of the spectral properties of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different times of annealing were performed. The quantities of interband transitions and parameters of the unit lattice cell were determined defined for the InS film.


Ключ. слова: гетероструктура, pЦn-InSe, пленка InS
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33 + З854

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського