Представлены результаты исследований по оптимизации режимов предэпитаксиальной обработки подложек GaSb химическим травлением в смесях на основе неорганических кислот. Показано, что использование двухстадийной химической обработки пластин в травителях <$Eroman {HNO sub 3 :HF:H sub 2 O}>=3:1:2 и <$Eroman {H sub 2 O sub 2 :HF:H sub 2 O}>=4:1:15 позволяет удовлетворить требования, предъявляемые к подложкам GaSb при жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные режимы предэпитаксиальной обработки подложек GaSb, обеспечивающие значение шероховатости поверхности не более 0,05 мкм и равномерное смачивание подложек раствором-расплавом.

The results of investigation to find out the optimal conditions of preepitaxial GaSb substrate treatment by chemical etching in inorganic acid mixes are offered. It is shown that application of two-stage chemical treatment in HNO3:HF:H2O=3:1:2 and H2O2:HF:H2O=4:1:15 etchants give a possibility to satisfy the requirements for GaSb substrate in case of liquid phase epitaxy. Optimal conditions of preepitaxial GaSb substrate treatment provided the surface roughness value of no more than 0,05 mm and uniform substrate wetting bu solution-melt are pointed out.

• Курак Владислав Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"