Показано, что механизм токопереноса через <$Ep sup + roman GaAs ~-~n roman GaAs ~-~ p sup + roman GaAs>- структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. При модуляции части базы, содержащей дефекты, превалирует инжекционно-туннельный ток, а при модуляции части базы с меньшей дефектностью определяющими являются генерационно-рекомбинационные токи. Такие структуры представляют интерес для создания на их основе ограничителей напряжения и электронных переключателей.

Показано, що механізм токопереносу через <$Ep sup + roman GaAs ~-~n roman GaAs ~-~ p sup + roman GaAs>- структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. Під час модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а в процесі модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів.

It is displayed experimentally, that the current transportТs mechanism through <$Ep sup + roman GaAs ~-~n roman GaAs ~-~ p sup + roman GaAs>- structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of baseТs part which contains defects, and generation-recombination currents are determinative at modulation of baseТs part with lesser defectiveness. p+GaAsЦnGaAsЦp+GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"