Круковский С. И. Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С. И. Круковский // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2002. - № 6. - С. 30-32. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см<^>2/В<$Esymbol Р>с, соответственно. Проанализированы возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|