Пошуковий запит: (<.>U=З843.33<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 36
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Андронова Е. В. Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb. — 2003 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 2. |
Круковский С. И. Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии. — 2002 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 3. |
Иванов В. Н. Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах. — 2002 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 4. |
Зайченко Л. М. Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред. — 2004 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 5. |
Мелебаева Д. Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni-n-GaAs . — 2008 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 6. |
Каримов А. В. Арсенид-галлиевые <$Ebold {p sup + ~-~n~-~p sup + }>-структуры с обедняемой базовой областью. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 7. |
Ковалюк З. Д. Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 8. |
Андронова Е. В. Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев. — 2008 // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
|
| 9. |
Соколов О. Б. Легування твердих розчинів <$E bold {Bi sub 2 (Te, Se) sub 3}> органічними сполуками, що містять галоген. — 2003 // Термоелектрика.
|
| 10. |
Коваленко В. Ф. Определение вакансионного состава монокристаллов полуизолирующего нелегированного арсенида галлия. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 11. |
Томашик В. Н. Химическое травление нелегированного и легированного арсенида индия в растворах системы HNO3 - HBr - диметилформамид. — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 12. |
Рогозін І. В. Власно-дефектна та домішкова люмінесценція нітриду галію. — 2005 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 13. |
Покладок Н. Т. Спін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в структурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошарками. — 2006 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
|
| 14. |
Франів А. В. Електронні властивості кристалів InI під тиском. — 2007 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| 15. |
Сукач А. В. Процессы генерации и рекомбинации носителей в арсениде индия и фотодиодах на его основе. — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 16. |
Штанько О. Д. Вплив дефектів на зміну властивостей кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію в термічних процесах : автореф. дис... канд. фіз.- мат. наук: 01.04.07. — Чернівці, 2009
|
| 17. |
Янчук О. І. Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на основі моноселенідів індію та галію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01. — Чернівці, 2004
|
| 18. |
Драпак С. І. Особливості фізичних властивостей гетероконтактів на основі шаруватих моноселенідів галію та індію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 2004
|
| 19. |
Даниленко С. Г. Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ-техніки : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06. — К., 2000
|
| 20. |
Шуригін Ф. М. Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами : автореф. дис... канд. техн. наук. — Л., 2008
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
