Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.4$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 174
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Индутный И. З. Фотостимулированная диффузия в тонкослойных светочувствительных структурах полупроводник-металл : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10. — К., 1993
|
2. |
Индутный И. З. Фотостимулированная диффузия в тонкослойных светочувствительных структурах полупроводник-металл : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10. — К., 1993
|
3. |
Индутный И. З. Фотостимулированная диффузия в тонкослойных светочувствительных структурах полупроводник-металл : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10. — К., 1993
|
4. |
Индутный И. З. Фотостимулированная диффузия в тонкослойных светочувствительных структурах полупроводник-металл : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10. — К., 1993
|
5. |
Попов В. Г. Короткохвильова фоточутливiсть кремнiєвих структур з p - n-переходом, утвореним з використанням термодонорiв, стимульованих iмплантацiєю iонiв вуглецю. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
6. |
Студенець В. І. Короткоперіодні надгратки напівпровідників із структурою цинкової обманки на прикладі CdTe/HgTe та GaAs/AlAs : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 1998
|
7. |
Горбик П. П. Фотоэлектрическое преобразование в поверхностно-барьерных структурах на основе селенида кадмия . — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
8. |
Семак Д. Г. Фізика нерівноважних явищ у напівпровідниках: Спецпрактикум : Навч. посіб. для студ. фіз. спец. вузів. — Ужгород, 1998
|
9. |
Kosyachenko L. A. Characterization of Hg1-xMnxTe single crystals and Hg1-xMnxTe photodiodes // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
10. |
Савицький А. В. . — Чернівці: Рута, 1999
|
11. |
Barabash Y. M. Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
12. |
Davidenko N. A. Photoelectric peculiarities of electric photographic and holographic recording media with ionic dyes // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
13. |
Оліх О. Я. Дослідження акусто-фото-електричної взаємодії в напівпровідникових структурах GaAs і Si : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2000
|
14. |
Vakulenko O. V. The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4.
|
15. |
Gorban A. P. Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p+-n-n+- and n+-p-p+-structures based on single-crystalline silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3.
|
16. |
Савицький А. В. . — Чернівці: Рута, 2000
|
17. |
Венгер Є. Ф. Вплив плазмон-фононного зв'язку на коефіцієнт відбиття в одновісному полярному напівпровіднику ZnO. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
18. |
Кунцевич С. П. Локальні ЯМР характеристики іонів <$Eroman Fe sup 3+> та анізотропні магнітні властивості гексаферитів М типу : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.11. — Х., 2001
|
19. |
Shekhovtsov L. V. Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4.
|
20. |
Саченко А. В. Фотоперетворення в полікристалічному кремнії. Теоретична модель. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
| |