Виконано вимірювання електричних, оптичних характеристик та ефекту Хола на монокристалах Hg_1-xMn_xTe (х 0,1 - 0,2) в інтервалі температур 80 - 300 К. Розглянуто залежності оберненої температури від концентрації акцептора та ширини забороненої зони напівпровідника підтверджуються розрахунком. Довгохвильовий край поглинання розглянуто з використанням моделі Кейна. Виявлені особливості в області нижче забороненої зони розглядаються як наслідок малої ефективної маси електронів у досліджуваних напівпровідниках з вузькою забороненою зоною. Діоди з pn - переходами, одержані шляхом іонного травлення, мають гарні випрямляючі властивості, обумовлені процесами генерації-рекомбінації носіїв, їх тунелювання та лавінного множення.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"