Висвітлюються основні характеристики стаціонарної фотопровідності напівпровідників, зроблено визначення параметрів напівпровідникових матеріалів при лінійній рекомбінації. Розглядається фотомагнітоелектрорушійна сила у напівпровідниках, простежується залежність фотомагнітного ефекту від зовнішніх факторів, параметрів матеріалу та розмірів зразка. Особливу увагу приділено фізичним основам напівпровідникових фотогальванічних елементів і квантових генераторів, а також фотоструктурним перетворенням в некристалічних халькогенідах, зокрема, структурним особливостям аморфних халькогенідів та фотоіндукованим змінам оптичних параметрів тонких шарів некристалічних халькогенідів.

• Різак Василь Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"