Представлены результаты исследования спектров фототока и закономерностей прохождения темнового тока в поверхностно-барьерных структурах вырожденный полупроводник-селенид кадмия. Применение "сверхтонких" слоев вырожденного сульфида меди, а также промежуточных, встроенных в область пространственного заряда варизонных прослоек позволяет повысить фототоковую и фотовольтовую чувствительность преобразователей. Указанное улучшение свойств известных поверхностно-барьерных структур является результатом использования фотоэффекта горячих носителей и оптимального распределения электрического и квазиэлектрического полей в приповерхностной области фоточувствительной составляющей преобразователя.

• Горбик Петро Петрович (1950–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"