Проведено виміри спектрів фотопровідності (ФП) та спектрів фотомагнітного ефекту (ФМЕ) зразків монокристалічного кремнію, які зазанали неоднорідної деформації вигину. Така деформація призводить до зменшення спаду спектра ФП у короткохвильовій області за умов освітлення поверхні зразка, яка зазанає деформації розтягу. За тих самих умов деформації форма спектрів ФМЕ зазнає змін лише у довгохвильовій області. Отримані результати пояснюються зменшенням дифузійної довжини внаслідок зменшення коефіцієнта дифузії під дією градієнта напруг.

Проведены измерения спектров фотопроводимости (ФП) и спектров фотомагнитного эффекта (ФМЭ) образцов монокристаллического кремния, которые подвергались неоднородной деформации сгиба. Такая деформация приводит к уменьшению спада спектра ФП в коротковолновой области при освещении поверхности образца, которая испытывает деформацию растяжения. При тех же условиях деформации форма спектров ФМЭ изменяется только в длинноволновой области. Полученные результаты объясняются уменьшением диффузионной длины вследствие уменьшения коэффициента диффузии под действием градиента напряжений.

Measurements of the photoconductivity (PC) and photomagnetic effect (PME) spectra of crystalline silicon were carried out for the sample under the not uniform bend deformation. This deformation causes a decrease of the photoconductivity spectrum fall in the short-wave region in illuminating the stretched surface. Under constant deformation conditions the PME spectrum form is changed only in the long-wave region. The obtained data are explained by diffusion length decreasing in consequence of decreasing the diffusion coefficient under the influence of a strain gradient.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"