Попов В. Г. Короткохвильова фоточутливiсть кремнiєвих структур з p - n-переходом, утвореним з використанням термодонорiв, стимульованих iмплантацiєю iонiв вуглецю / В. Г. Попов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 185-190. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Розглянуто принцип роботи та характеристики нового типу фотовольтаїчних сенсорiв, виготовлених на основi кремнiю р-типу, вирощеного за методом Чохральського (Cz - Si). Робочий р-п-перехiд утворюється в приповерхневiй областi приладу без легування електрично-активною домiшкою, а завдяки стимульованому формуванню термодонорних центрiв пiсля iмплантацiї iонiв вуглецю та термiчного вiдпалу. Розглянуто фiзичнi механiзми стимульованого формування термодонорiв, їх характеристики, а також перспективи практичного застосування даного типу сенсорiв. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|