Пошуковий запит: (<.>U=В379<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 64
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Yodgorova D. M. Spectral photosensitivity of the <$E bold roman {m-n sup 0 -n}> structure on the basis of epitaxial layers // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1.
|
2. |
Nikonyuk E. S. Self-purification effect in CdTe:Gd crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1.
|
3. |
Yaremchuk I. Ya. Selective unequal-thickness thin-film filters for IR spectral region // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1.
|
4. |
Fodchuk I. M. Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2.
|
5. |
Kiselov V. S. Simple method for SiC nanowires fabrication // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 1.
|
6. |
Misiuk A. Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2.
|
7. |
Timokhov D. F. Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3.
|
8. |
Морушко О. В. Термогравіметричні дослідження композитів TiS2<> // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 3.
|
9. |
Borzanytsya D. The influence of an electric field on composition of a surface of a negatively poled z-cut of lithіum niobate. — 2010 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка.
|
10. |
Kolinko M. O. Calculation of the spectra of characteristic electron losses in indium bromide // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 3.
|
11. |
Arsentyev I. N. Porous nanostructured InP: technology, properties, application // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4.
|
12. |
Vlaskina S. I. Mechanism of 6H-3C transformation in SiC // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2.
|
13. |
Gomeniuk Y. V. Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 2.
|
14. |
Palash Das Confined energy state based hypothetical observations about device parameters of AlGaN / GaN HEMT // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 1.
|
15. |
Barabash M. Yu. Getting of nanocomposites thin films on the basis of carbazole from gas phase and their properties // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2014. - 6, № 1.
|
16. |
Makhniy V. P. Effect of oxidation method of cadmium and zinc chalcogenide substrates on physical properties of CdO and ZnO heterolayers // Functional Materials. - 2009. - 16, № 1.
|
17. |
Zelenyuk M. Uniaxial pressure effect on phase transition of Cr3+-doped TGS crystals // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2015. - Вип. 1.
|
18. |
Меньшикова С. І. Розмірні ефекти в тонких плівках PbSe, легованого хлором // Термоелектрика. - 2015. - № 2.
|
19. |
Bacherikov Yu. Yu. Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 3.
|
20. |
Мазанко В. Ф. Вплив карбіду кремнію на мікроструктуру та фазовий склад залізної мішені // Доп. НАН України. - 2008. - № 8.
|
| |