Сильно леговані азотом монокристали 6H-SiC перетворено на 3C-SiC. Процес перетворення у 3C-SiC був повністю завершеним, коли 6H-SiC відпалювалися у вакуумі за присутності парів кремнію протягом однієї години за температури 2180 K або 4-х годин за температури 2080 K. Вивчено механізм твердотільного перетворення. З вимірів ефекту Хола та спектрів ЕПР розраховано концентрації некомпенсованої донорної та азотної домішок і показано зменшення концентрації азоту у перетворених кристалах 3C-SiC. Експериментальні дані свідчать про появу нових дефектів - донорного й акцепторного типу, які перетворюють домішку азоту на електрично й оптично неактивну. Ці дефекти супроводжують процес перетворення.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"