The mechanism of current transport in several high - k-dielectric, including rare earth metal oxides (Gd2O3, Nd2O3), ternary compounds (LaLuO3) and rare earth metal silicate (LaSiOx) thin films on silicon was studied using current-voltage (I - V) and conductance-frequency (G - omega) measurements at temperatures 100 - 300 K. It was shown that the current through the dielectric layer is controlled either by Pool-Frenkel mechanism of trap-assisted tunneling or by Mott's variable range hopping conductance through the localized states near the Fermi level. From the results of measurements, the dynamic dielectric constant k of the material, energy positions and bulk concentrations of traps inside the dielectric layers were determined.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379

Рубрики:

Фізика напівпровідників та діелектриків

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гоменюк Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"