У сендвіч-структурах Al/ПК-(c-Si) на основі наноструктурованного поруватого кремнію (ПК) вивчено явище лавинного помноження носіїв заряду. Експериментально одержані залежності коефіцієнтів ударної іонізації від напруженості електричного поля відповідають дифузійному механізму розігріву електронно-діркових пар до порога іонізації. Різниця ефективних коефіцієнтів ударної іонізації для електронів і дірок незначна. Оцінено довжину вільного пробігу гарячих електронів під час розсіювання енергії на оптичних фононах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"