РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
Оберіть мову
Ukrainian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bulgarian
Chinese (Simplified)
Chinese (Traditional)
Czech
Danish
Dutch
English
Estonian
Finnish
French
Georgian
German
Greek
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Ключові слова (без закінчення)
Автор (тільки прізвище)
Назва
Рік видання
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
видом документа
Знайдено в інших БД:
Журнали та продовжувані видання (1)
Наукова періодика України (1)
Пошуковий запит:
(<.>TJ=Оптоэлектроника и полупроводниковая техника<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
395
Представлено документи
з 1 до 20
...
1.
Мороженко В. О.
Пропускання, відбиття та теплове випромінювання магнітооптичних резонаторних структур в інфрачервоному діапазоні спектра: дослідження та застосування (огляд)
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
2.
Ревуцька Л. О.
Нанесення плівок халькогенідних стекол з розчину: виготовлення, властивості, застосування (огляд)
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
3.
Кретуліс В. С.
Оптоелектронний нефелометричний вимірювач метеопараметрів атмосферного середовища
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
4.
Велещук В. П.
Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
5.
Михайловська К. В.
Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіO
x
-SіO
y
)
n
структурах з поруватими ізолюючими шарами
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
6.
Костильов В. П.
Напівпровідникова фотоенергетика: сучасний стан і актуальні напрями досліджень
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
7.
Академік О. Є. Бєляєв, директор Інституту фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України - 58 років у складі НАН України
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
8.
Чегель В. І.
Молекулярна плазмоніка - новий напрямок для досліджень у матеріалознавстві та сенсориці. Застосування та теоретичне підгрунтя (огляд)
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
9.
Завьялова Л. В.
Получение и исследование полупроводниковых пленок <$E bold roman {A sup I-VIII B sup VI}> и функциональных структур на их основе; особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
10.
Сукач А. В.
InAs фотодіоди. (Огляд. Ч. IV)
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
11.
Маланич Г. П.
Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe и Pb
1-x
Sn
x
Te
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
12.
Онищенко В. Ф.
Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
13.
Дорожинська Г. В.
Особливості рефрактометричних характеристик поверхневого плазмонного резонансу моторних олив при експлуатації
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
14.
Матяш І. Є.
Компонентний аналіз спектрів фононного дихроїзму в одновісно деформованому кристалі кремнію
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
15.
Карась Н. И.
Монополярная фотопроводимость инверсионного слоя и "медленные" поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
16.
Оліх Я. М.
Чинники релаксації акустопровідності в CdTe
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
17.
Маслов В. П.
Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
18.
Дремлюженко К. С.
Вплив стабілізатора на властивості високодисперсних систем кадмій телуриду отриманих електроіскровим методом
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
19.
Мешалкин А.
Прямая запись поверхностного рельефа дифракционных решеток с использованием слоев селена как регистрирующих сред
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
20.
Костюкевич К. В.
Особенности углового спектра поверхностного плазмон-поляритонного резонанса в геометрии Кретчмана при исследовании латексной водной суспензии
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
...
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Всі права захищені ©
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського