РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Журнали та продовжувані видання (1)Наукова періодика України (1)
Пошуковий запит: (<.>TJ=Оптоэлектроника и полупроводниковая техника<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 395
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Мороженко В. О. Пропускання, відбиття та теплове випромінювання магнітооптичних резонаторних структур в інфрачервоному діапазоні спектра: дослідження та застосування (огляд) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
2.

Ревуцька Л. О. Нанесення плівок халькогенідних стекол з розчину: виготовлення, властивості, застосування (огляд) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
3.

Кретуліс В. С. Оптоелектронний нефелометричний вимірювач метеопараметрів атмосферного середовища // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
4.

Велещук В. П. Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
5.

Михайловська К. В. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOx-SіOy)n структурах з поруватими ізолюючими шарами // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
6.

Костильов В. П. Напівпровідникова фотоенергетика: сучасний стан і актуальні напрями досліджень // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
7.
Академік О. Є. Бєляєв, директор Інституту фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України - 58 років у складі НАН України // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
8.

Чегель В. І. Молекулярна плазмоніка - новий напрямок для досліджень у матеріалознавстві та сенсориці. Застосування та теоретичне підгрунтя (огляд) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
9.

Завьялова Л. В. Получение и исследование полупроводниковых пленок <$E bold roman {A sup I-VIII B sup VI}> и функциональных структур на их основе; особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
10.

Сукач А. В. InAs фотодіоди. (Огляд. Ч. IV) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
11.

Маланич Г. П. Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe и Pb1-xSnxTe // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
12.

Онищенко В. Ф. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
13.

Дорожинська Г. В. Особливості рефрактометричних характеристик поверхневого плазмонного резонансу моторних олив при експлуатації // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
14.

Матяш І. Є. Компонентний аналіз спектрів фононного дихроїзму в одновісно деформованому кристалі кремнію // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
15.

Карась Н. И. Монополярная фотопроводимость инверсионного слоя и "медленные" поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
16.

Оліх Я. М. Чинники релаксації акустопровідності в CdTe // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
17.

Маслов В. П. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
18.

Дремлюженко К. С. Вплив стабілізатора на властивості високодисперсних систем кадмій телуриду отриманих електроіскровим методом // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
19.

Мешалкин А. Прямая запись поверхностного рельефа дифракционных решеток с использованием слоев селена как регистрирующих сред // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
20.

Костюкевич К. В. Особенности углового спектра поверхностного плазмон-поляритонного резонанса в геометрии Кретчмана при исследовании латексной водной суспензии // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського