Исследована поверхностная фотопроводимость в структурах макропористого и монокристаллического кремния при коэффициенте поглощения в диапазоне 200 - 10<^>4 см<^>-1. При этом наблюдалась положительная и отрицательная фотопроводимость. Исходным материалом для формирования структур макропористого кремния был кремний n-типа с ориентацией [100] и удельным сопротивлением 4,5 Ом см. С помощью электрохимического травления образовывались макропоры с диаметром Dp = 2 мкм, глубиной hp = 60 мкм и периодом a = 4 мкм . Установлено, при поглощении света с длиной волны 0,52 мкм на толщине области пространственного заряда в 1 мкм наблюдается "медленная" отрицательная фотопроводимость. При поглощении света с длиной волны 0,935 и 0,62 мкм на глубине 50 и 2,5 мкм соответственно наблюдается положительная фотопроводимость. Причиной негативной фотопроводимости является прилипания на "медленных" поверхностных уровнях основных носителей заряда, положительная поверхностная фотопроводимость проявляется при прилипании неосновных носителей заряда. На основании измеренной негативной фотопроводимости была рассчитана фотопроводимость инверсийного слоя и из нее получено оценочные значения концентрации "медленных" поверхностных уровней как в структуре макропористого (N >> 10<^>13 см<^>-2), так и монокристаллического кремния (N << 10<^>13 см<^>-2). Показано, что отношение отрицательных значений фотопроводимости в структуре макропористого кремния и в монокристаллическом кремнии практически совпадают с отношением освещаемых площадей структуры макропористого (с учетом площади поверхности макропор) и монокристаллического кремния (27 и 25 соответственно), что подтверждает чисто поверхностную природу негативной фотопроводимости в условиях сильного поверхностного поглощения света.

• Онищенко Володимир Пилипович (1946–) (економічні науки)
• Онищенко Володимир Федорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"