Проаналізовано основні види шуму в інфрачервоних фотодіодах на основі InSb та InAs. Розглянуто сучасний стан експериментальних та теоретичних досліджень теплового, дробового, генераційно-рекомбінаційного та радіаційного шуму у фотодіодах. Особливу увагу приділено результатам досліджень низькочастотного шуму 1/f типу. Встановлено кореляцію між величиною 1/f шуму та генераційно-тунельним механізмом протікання темнового струму у фотодіодах. Експериментальні результати обговорюються в рамках моделі неоднорідного переходу. Показано, що основною причиною виникнення 1/f шуму в InSb та InAs фотодіодах можуть бути флуктуації опору, зумовлені наявністю двох каналів провідності в області просторового заряду. Виконано розрахунки низькочастотного шуму з використанням існуючих теоретичних моделей.

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Ткачук Андрій Іванович (технічні науки)
• Ткачук Анна Іллівна (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"