Пошуковий запит: (<.>U=З852.3$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 19
Представлено документи з 1 до 19
|
1. |
Ренгевич О.Є. Вплив gamma-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — К., 2001. — 19 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
2. |
Гарнага В. А. Двотактні підсилювачі постійного струму для багаторозрядних АЦП і ЦАП, що самокалібруються : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.05. — Вінниця, 2011. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
3. |
Зуєв С.О. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шотткі субмікронних розмірів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01. — Х., 2003. — 16 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
4. |
Сидор О.М. Дослідження фоточутливих поверхнево-бар'єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01. — Чернівці, 2006. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
5. |
Верига А. Д. Інтегральний автодинний сенсор магнітного резонансу зі стоковим детектуванням : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01. — Чернівці, 2011. — 20 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
6. |
Макар В.М. Математичне моделювання механічних коливальних процесів в силових напівпровідникових приладах на основі методу скінченних елементів : Автореф. дис... канд. техн. наук: 01.05.02. — Л., 1999. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
7. |
Корначевський Я.І. Моделі мон-транзисторів для схемотехнічного проектування субмікронних інтегральних схем : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.13.12. — К., 2004. — 17 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
8. |
Семеновська О. В. Моделювання електротеплових процесів у субмікронних гетероструктурах : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01. — К., 2011. — 16 с. — укp.
Рубрики:
|
9. |
Фалєєва О. М. Моделювання субмікронних гетеротранзисторів з низькорозмірними системами : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.01. — К., 2011. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
10. |
Войцеховська О.В. Нелінійні властивості комбінованих транзисторних негатронів та пристрої автоматики на їх основі : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.13.05. — Вінниця, 2007. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
11. |
Зуєв С.О. Особливості роботи арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі у напружених режимах : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01. — Х., 2007. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
12. |
Марколенко П.Ю. Перемикання в тиристорних структурах при високому рівні інжекції і дії зовнішніх чинників (світло, магнітне поле, радіація) : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01. — О., 2006. — 16 с. — укp.
Рубрики:
|
13. |
Кудіна В. М. Природа флуктуаційних процесів у сучасних польових транзисторах : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10. — К., 2011. — 20 с.: рис., табл. — укp.
Рубрики:
|
14. |
Куракін А.М. Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/ GaN : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — К., 2006. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
15. |
Осадчук О.В. Радіовимірювальні мікроелектронні перетворювачі на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором : Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.11.08. — Вінниця, 2002. — 35 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
16. |
Сундучков І.К. Розробка малошумливих підсилювачів міліметрового діапазону з використанням модифікованої моделі транзисторів з високою рухливістю електронів : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.12.13. — К., 2007. — 22 с. — укp.
Рубрики:
|
17. |
Герасим В.В. Розробка перемикальних р-канальних МОН-структур, керованих малопотужними сигналами : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01. — Чернівці, 2001. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
18. |
Мурзін Д.Г. Розширення області безпечної роботи потужних напівпровідникових приладів з об'ємними ділильними шарами : автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.01. — К., 2009. — 21 с. — укp.
Рубрики:
|
19. |
Стовповий М.О. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GaAs : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — К., 2005. — 16 с.: рис — укp.
Рубрики:
|