Вивчено методи розширення області безпечної роботи потужних напівпровідникових приладів (ПНП) за рахунок покращання рівномірності розподілу напруженості електричного поля та щільності струму в структурі ПНП з об'ємним ділильним шаром (ОДШ) за умов збереження швидкодії та малих енергетичних втрат у стаціонарному та динамічному режимі. Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень щодо розширення області безпечної роботи (ОБР) потужних напівпровідникових приладів з метою реалізації оптимальної сукупності параметрів потужного напівпровідникового ключа. Наведений конструктивний елемент - об'ємний ділильний шар - дозволяє суттєво підвищити однорідність розподілу електричного поля в області просторового заряду, знизити вірогідність виникнення електричної форми вторинного пробою. Одержано залежність максимальної напруги від місцерозташування ОДШ у структурі p - n переходу. Встановлено зв'язок між максимальною динамічною напругою та параметрами структури в головному режимі роботи транзистора. Досліджено вплив локальних рекомбінаційних областей, зумовлених опромінюваннями alpha-частинками, на підвищення швидкодії високовольтних транзисторних структур з ОДШ. Наведено результати проведених експериментальних досліджень щодо можливості застосування техніки ОДШ для розширення ОБР ПНП.

  Завантажити