Розроблено алгоритми для вбудовування МОН-моделей для проектування у субмікронному діапазоні. Запропоновано підбір режиму точності шляхом спрощення розрахункових виразів залежно від класу задачі (схеми, розрахунку, технології та топологічних розмірів). Створено методику врахування ємностей та уточнено співвідношення для ємностей у прямому та інверсному режимах. Встановлено, що на швидкість збіжності обчислень не впливає друга похідна заряду у вузлах транзистора за вузловою напругою. Модифіковано формули розрахунку згладжувальних функцій для застосування у пакеті ALLTED.

  Завантажити