Проаналізовано вимоги до перемикальних напівпровідникових приладів на основі метал-окисел-напівпровідникових (МОН) структур, а також розв'язано задачі з реалізації даних вимог. Розроблено конструкцію вертикального МОН-транзистора з каналом, яка дозволяє отримати високу густину упаковки елементів. Оптимізовано технологічні методи одержання перемикальних p-канальних МОН-структур з подвійною дифузією. Для зниження дефектності та підвищення стабільності їх електрофізичних параметрів використано методи гетерування, введені до оптимального маршруту формування МОН-транзисторних структур. Розвинуто математичну модель МОН-транзистора з подвійною дифузією в наближенні, в якій латеральний розподіл домішки вздовж каналу є експоненційним. Досліджено можливість виготовлення потужних перемикальних МОН-транзисторів з використанням мембранних структур на базі використання технології селективного травлення кремнію. Показано, що найбільш перспективними є перемикальні МОН-транзистори, керовані малопотужними сигналами безпосередньо від рівнів вихідних сигналів інтегральних мікросхем.

  Завантажити