Вперше розроблено двовимірні математичні моделі та алгоритми для аналізу процесу дрейфу носіїв заряду (НЗ) у гетероструктурних транзисторах з квантовими точками (КТ). Встановлено механізм підвищення дрейфової швидкості (ДШ) НЗ у гетеротранзисторі з КТ з урахуванням розмірного квантування. Вперше одержано розподіли потенціалу, ДШ, електронної температури, концентрації рухливих НЗ для гетеротранзисторів з КТ за допомогою двовимірної числової моделі. Встановлено, що ДШ у каналі гетеротранзистора з КТ зростає у порівнянні з гетеротранзистором без КТ внаслідок інжекції "холодних" електронів з КТ та ударної іонізації і тунелювання, за відстані між гетероконтактом і шаром КТ менше довжини хвилі оптичного фонона - за рахунок квантування фононного спектру. Досліджено, що за умов переважного розташування КТ у стокового краю затвора ДШ НЗ у каналі вищі, середні значення ДШ у 1,5 раза перевищують ті ж значення для транзистора з КТ, розташованими в області витоку. Визначено залежність швидкості й концентрації НЗ у каналі від ширини квантової ями і розмірів КТ. Зростання ДШ і перерозподіл концентрації НЗ спостерігається у двоканальному гетеротранзисторі з КТ. Розроблено схемотехнічні моделі для розрахунку і аналізу малосигнальних та шумових параметрів субмікронних і нанорозмірних багатоканальних гетероструктур з КТ для оптимізації фізико-топологічних параметрів транзисторів на основі результатів фізико-топологічного моделювання. Визначено вплив одержаних моделей на вихідні характеристики топології, геометричних розмірів і концентрації КТ, параметрів гетеропереходів у взаємозв'язку з неоднорідностями гетероструктур у третьому вимірі.

  Завантажити