Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>TJ=SEMICONDUCTOR PHYSICS, QUANTUM ELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS - 2002 - Т. 5 - № 1<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 21 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Rybalochka A. Allowable deviation of LC layer thickness in cholesteric LCDs / A. Rybalochka, V. Sorokin, A. Sorokin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 115-118. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Під час адресації холестеричних рідкокристалічних дисплеїв за допомогою різноманітних способів запису інформації розкид товщини шару рідкого кристала в дисплеї суттєво впливає на якість відображення інформації. Принципи адресації холестеричних дисплеїв, які в динамічних способах запису реалізуються за допомогою керувальних послідовностей імпульсів напруги, накладають певні обмеження на величину цього розкиду. Порівняно допустимий відносний розкид товщини рідкокристалічного шару в дисплеї для двох простих дворівневих динамічних способів запису інформації за допомогою методу "динамічного гістерезису". Індекс рубрикатора НБУВ: В372.35 + З973-044.61 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Ivashchenko V. I. Atomic and electronic structures of a-SiC / V. I. Ivashchenko, V. I. Shevchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 16-24. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Oberemok O. Borophosphosilicate glass component analysis by secondary neutrals mass spectrometry (SNMS) / O. Oberemok, P. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 101-105. - Бібліогр.: 11 назв. - англ. Методику мас-спектрометрії вторинних постіонізованих нейтральних частинок використано для кількісного аналізу борофосфосилікатних плівок, нанесених методом низькотемпературного піролізу на кремнієву підкладку. Проблему зарядження поверхні зразка вирішено застосуванням режиму високочастотного розпилювання дослідженого зразка. Показано, що режими розпилювання суттєво впливають на макро- і мікрорельєф плівки та результати пошарового аналізу структур. Скважність прикладеної до зразка напруги розпилення впливає на форму кратера. Збільшення частоти розпилення призводить до появи тонких шпилів на дні кратера. Покращання роздільної здатності методики за глибиною потребує оптимізації скважності та частоти прикладеної до зразка напруги розпилення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224в734.5 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Gorley P. M. Current flow mechanisms in Ip - i - nD-structures based on cadmium telluride / P. M. Gorley, M. V. Demych, V. P. Makhniy, Zs. J. Horvath, V. A. Shenderovsky // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 46-50. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Haccart T. Dielectric, ferroelectric and piezoelectric properties of sputtered PZT thin films on Si substrates: influence of film thickness and orientation / T. Haccart, E. Cattan, D. Remiens // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 78-88. - Бібліогр.: 45 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Tkach V. N. Divergent-beam X-ray studies of the structure of a disturbed layer of silicon plates / V. N. Tkach, V. N. Bakul // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 36-38. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. На базі сканувального електронного мікроскопа BS-340 створено камеру Косселя для дослідження поверхонь монокристалів у відбитих пучках рентгенівських променів. Досліджено структуру поверхневого шару кремнієвих пластин після хіміко-механічної поліровки. Інтенсивність рефлексів від площини гратки, що перетинають поліровану поверхню пластини, характеризує ступінь досконалості поверхневого шару, має періодичну природу та виявляє тенденцію до загасання вглиб пластини. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Deibuk V. G. Electronic band structure and magnetic susceptibility of the GeV1-IxDSiIVxD solid solutions / V. G. Deibuk, S. I. Shakhovtsova, V. A. Shenderovski, V. M. Tsmots // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 5-8. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Torchynska T. V. III-V material solar cells for space application / T. V. Torchynska, G. P. Polupan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 63-70. - Бібліогр.: 58 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Vakhnyak N. D. Influence of $E bold gamma-irradiation on photoluminescence spectra of CdTe:Cl / N. D. Vakhnyak, S. G. Krylyuk, Yu. V. Kryuchenko, I. M. Kupchak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 25-30. - Бібліогр.: 31 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Klimovskaya A. I. Instability of homogeneous composition of highly strained QWs in heterostructures GaAs/InIVxDGaV1-D; IVxDAs/GaAs / A. I. Klimovskaya, N. N. Grigor'ev, E. G. Gule, Yu. A. Dryha, V. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 42-45. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Ibragimov G. B. Interface roughness induced intrasubband scattering in a quantum well under an electric field / G. B. Ibragimov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 39-41. - Бібліогр.: 17 назв. - англ. Швидкості розсіювання всередині найбільш низької підзони квантової ями розраховано для випадку, коли розсіювання відбувається на шорсткому інтерфейсі, а електричне поле прикладено перпендикулярно до площини шару. Виявлено, що швидкість розсіювання на шорсткому інтерфейсі збільшується зі зростанням напруженості електричного поля. Це поле різко змінює швидкості розсіювання на шорсткостях інтерфейсу в широких квантових ямах у порівнянні зі швидкостями розсіювання в нульовому полі. Індекс рубрикатора НБУВ: В315.7 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Girnyk V. I. Multilevel computer-generated holograms for reconstructing 3-D images in combined optical-digital security devices / V. I. Girnyk, S. A. Kostyukevych, A. V. Kononov, I. S. Borisov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 106-114. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Vlasenko N. A. On origin of rapid portion of luminance-voltage dependence of ZnS:Mn TFEL devices and its aging behavior / N. A. Vlasenko, Z. L. Denisova, Ya. F. Kononets, L. I. Veligura, M.M. Chumachkova, Yu. A. Tsyrkunov, E. L. Soininen, R. O. Tornqvist, K. M. Vasame // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 58-62. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Tkachuk A. I. Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/InD-PbV0,935DSnV0,065DTeV0,243DSeV0,757D/In Schottky barrier structures / A. I. Tkachuk, O. N. Tsarenko, S. I. Ryabets // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 51-57. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Lysiuk I. O. Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdIVxDHgV1-IxDTe plates / I. O. Lysiuk, V. F. Machulin, Ya. M. Olikh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 31-35. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Boguslavska N. N. Reststrahlen spectroscopy of MgAlV2DOV4D spinel / N. N. Boguslavska, E. F. Venger, N. M. Vernidub, Yu. A. Pasechnik, K. V. Shportko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 95-100. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
| |||
| 17. | Vlaskina S. I. Silicon carbide LED / S. I. Vlaskina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 71-75. - Бібліогр.: 2 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Bushma A. V. Static realization of reliable position indication / A. V. Bushma, G. A. Sukach // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 119-123. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Представлено високонадійну позиційну інформаційну модель для засобів відображення даних в оптоелектронних системах. Одержано та проаналізовано логічні оператори, що описують статичне формування зазначеної моделі. Досліджено особливості алфавітів для двох варіантів цієї інформаційної моделі та побудови інформаційних полів для їх синтезу. Запропоновано математичні моделі конкретних пристроїв високонадійного позиційного відображення інформації на індикаторі, що складається з елементів, сполучених з єдиним загальним електородом. Проаналізовано їх апаратурну реалізацію. Індекс рубрикатора НБУВ: З970.640 + З861.1 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Budzulyak I. M. Study of supercapacitors with a double electrical layer based on activated carbon materials / I. M. Budzulyak, Z. D. Kovalyuk, F. V. Motsnyi, V. B. Orletskyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 76-77. - Бібліогр.: 3 назв. - англ. Запропоновано екологічно чисту технологію для отримання активованого вуглецю, на базі якого виготовлено конденсатори надвисокої ємності. Вивчено характеристики цих конденсаторів. Проведено порівняння одержаних характеристик з аналогічними на базі екологічно шкідливих матеріалів. Індекс рубрикатора НБУВ: З264.6 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Bravina S. L. Thin film PZT-Si structure with quadrant-diagonal electrode system as an element of position sensitive pyroelectric detector / S. L. Bravina, E. Cattan, N. V. Morozovsky, D. Remiens // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 89-94. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського