Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследована возможность гидрогенизации пленок аморфного кремния методом низкоэнергетичной ионной имплантации. Получены температурные зависимости удельного сопротивления аморфного кремния, выращенного методом газофазного осаждения при разложении силана, дегидрогенизированного аморфного кремния и постгидрогенизированного методом ионной имплантации с последующим отжигом. Подтверждена возможность гидрогенизации плоскостных аморфных кремниевых структур имплантируемыми низкоэнергетичными ионами изотопов водорода, что расширяет технологические возможности создания высокоэффективных тритиевых батарей - атомных элементов питания.

We consider atomic transitions in the Anderson lattice in amorphous semiconductors accompanied by сhanging an atomic charge state. The conditions are calculated under which these transitions will depend not only on temperature but also on the excitation degree of the electron subsystem of a crystal. In this case, one could exert control over the Anderson lattice in amorphous semiconductors by using external actions (heating, irradiation, etc.).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено багатокутові еліпсометричні вимірювання у видимій області спектра на діелектричних плівках, одержаних на кварцовому склі розпиленням матеріалу електронним пучком. Показано, що виміряна еліпсометрична функція описується двошаровою системою, яка містить покриття і прошарок між покриттям і підкладкою. Знайдено показники заломлення та товщини шарів. Визначено параметри полірованого шару, який завжди утворюється внаслідок механічної обробки оптичного скла. Висловлено припущення, що прошарок утворюється під час нанесення покриття внаслідок проникнення матеріалу покриття у полірований шар.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.34

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Оптичні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: халькогенідний склоподібний напівпровідник, бар'єрний шар, тришарова структура, лазерне опромінення, фотоіндуковані зміни
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: скло, невпорядкованість, заборонена зона, питома провідність, енергія активації, фотолюмінісценція
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,0 + В372.8,0

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Кластери в твердих тілах

Шифр НБУВ: Р111800 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,0 + В379.25,0

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Р111799 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены оптические свойства, спектры комбинированного рассеяния, фотоструктурные преобразования и селективное травление в слоях As - S - Se. На основе односциллярной модели и модели Пена проанализированы композиционные зависимости оптических свойств в области прозрачности края поглощения и их эволюции под действием внешних причин. Описаны особенности механизма необратимых фотоструктурных преобразований. Раскрыты основы использования регистрирующих сред на основе слоев As - S - Se в голографии и технологиях получения голограммных оптических элементов с использованием данных регистрирующих сред. Показано, что значения дифракционной эффективности и отражающих рельефно-фазовых решеток, полученных на основе слоев As - S - Se, близки к теоретической границе.

За даними дилатометрії розраховано значення коефіцієнтів термічного розширення, характеристичних температур Дебая, середньоквадратичних динамічних зміщень атомів та оцінено енергетику структури ближнього порядку. З'ясовано, що в аморфному стані сплави Ga - Te більше наближені до рідкого стану, ніж до кристалічного. Перехід у аморфний стан призводить до компактнішого розташування атомів і збільшення сил зчеплення. Коливний спектр атомів аморфних телуридів In більше наближений до кристалічного стану. На жорсткість системи впливає і наявність "кристалоподібних" фрагментів структури.

Using dilatometry data, the coefficients of thermal expansion, characteristic Debye temperatures, root-mean-square dynamic displacements of atoms and is appreciated energetics of structure of the short-range order are determined. Set, that in an amorphous state the alloys Ga-Te are closer to a liquid state than to crystalline. The transition in an amorphous state gives in more unobstructive distribution of atoms and magnification of cohesive forces. The oscillatory spectrum of atoms amorphous tellurides of In is more similar to a crystalline state. The stiffness of system is influenced also by presence "crystal -like" fragments of structure.

Ключ. слова: metallic glasses, crystallization, DTA, exoelectron emission, activation energy
Індекс рубрикатора НБУВ: К297.03 + В379.224

Рубрики:

Кристалізація аморфних сплавів

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів оптичної, діелектричної та рентгенівської спектроскопій досліджено вплив опромінення нейтронами на деякі параметри скловидного кремнезему (СК). Визначено закономірності радіаційних змін деяких спектральних характеристик (поляризованості, показника заломлення), параметрів структури СК за широкого інтервалу доз швидких нейтронів. Припущено, що виявлені особливості дозових залежностей ряду характеристик зумовлені радіаційно стимульованими змінами структури речовини. Розглянуто ефект великих доз.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследованы особенности копий дифракционных решеток, полученных с использованием решеток-оригиналов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. Голограммные решетки-оригиналы на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников обеспечивают получение высококачественных полимерных решеток-копий с характеристиками, близкими к исходным у решеток-оригиналов, и высоким качеством поверхности полученных микрорельефов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.227 + К297.091

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Вплив опромінювання на структуру і властивості аморфних сплавів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: аморфные ленты, температура кристаллизации, нанокристаллы
Індекс рубрикатора НБУВ: К297.043 + В371.236 + В379.224

Рубрики:

Структурні і фазові перетворення в аморфних сплавах

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено результати узагальнення відомостей про структуру та структурні перетворення в халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН) (та плівках на їх основі) під дією зовнішніх факторів - температури, світлового випромінювання, високоенергетичної проникної радіації. Обговорено механізми фото-, термо- та радіаційностимульованих перетворень у ХСН і деякі аспекти їх практичного застосування.