Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Наукова електронна бібліотека (1) | Автореферати дисертацій (49) | Книжкові видання та компакт-диски (256) | Журнали та продовжувані видання (3) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.226$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 777 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique = Дослідження умов росту, кристалічної структури та морфології поверхні плівок SmS, виготовлених методом МОГФЕ / N. M. Volodin, L. V. Zavyalova, A. I. Kirillova, I. V. Prokopenko, A. V. Khanova // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 78-83. - Библиогр.: 9 назв. - англ. Отримано полікристалічні плівки SmS MOCVD-методом із застосуванням ряду дітіокарбаматів, які синтезовані різноманітними способами. Досліджено кінетику росту і температурні залежності швидкості росту плівок, які дозволили визначити енергії активації, тип реакції; проведено дослідження структури і морфології поверхні плівок. Визначено технологічні умови, які забезпечують виготовлення однофазних плівок SmS кубічної модифікації з найбільш впорядкованою кристалічною структурою. Ключ. слова: samarium monosulphide, structure, morphology, MOCVD-technique Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока / П. А. Панчеха, О. Г. Алавердова, В. И. Гнидаш // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 1. - С. 75-80. - Библиогр.: 14 назв. - рус. Проаналізовано фактори, які визначають утворення дискретного набору переважних орієнтацій зерен у плівках CdTe. Доведено, що орієнтації зумовлено процесами подвоєння і періодичної зміни фаз сфалерит - вюрцит. Дані процеси є наслідком порушення послідовності пакування щільнопакованих площин (111) сфалериту та (0001) вюрциту під час росту кристалів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.251 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Богуславская Н. Н. Измерение электрофизических параметров тонких слоев карбида кремния методом спектроскопии ИК отражения / Н. Н. Богуславская, Е. Ф. Венгер, Ю. А. Пасечник // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 161-176. - Библиогр.: 31 назв. - рус. Разработана методика измерения электрофизических параметров тонких монокристаллических слоев карбида кремния на монокристаллах карбида кремния методом ИК спектроскопии. Дисперсионный анализ спектров отражения позволил определить частоты и коэффициенты затухания фононов и плазмонов в слоях карбида кремния, которые изменяются в зависимости от технологии получения и обработки слоев карбида кремния. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Сирюк Ю. А. Области существования двух типов спиральных доменных структур в феррит-гранатовых пленках / Ю. А. Сирюк, В. В. Смирнов // Физика и техника высоких давлений. - 2001. - 11, № 2. - С. 107-114. - Библиогр.: 10 назв. - рус. В тонких одноосных пленках ферритов-гранатов получен новый вид спиральной доменной структуры - спираль, свернутая в петлю (спираль-петля), окруженная решеткой цилиндрических магнитных доменов и находящаяся в равновесном состоянии в отсутствие магнитного поля. Экспериментально найдена область пленок, в которых формируются либо спиральный домен, либо спираль-петля. Показано, что возможность их формирования определяется магнитостатическим давлением и зависит от характеристической длины пленки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.27 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Федосюк В. М. Сверхтонкие электролитически осажденные многослойные Co/Cu- и CoNi/Cu-пленки на арсениде галлия / В. М. Федосюк, В. Шварцатер, О. И. Касютич // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - 22, № 4. - С. 42-47. - Библиогр.: 17 назв. - рус. Уперше методом імпульсного електролітичного осаджування з одного електроліту на підкладках арсеніду галію одержано ультратонкі багатошарові Co/Cu- та CoNi/Cu-плівки з кількістю періодів 5 і 3, оптично прозорі у видимій області спектра, що виявляють властивості справді мультишарової структури - ефект гігантського ізотропного магнітоопору. Ключ. слова: электроосаждение, многослойные пленки, гигантское магнитосопротивление Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З843.332-06 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Galiy P. Auger electron spectroscopy analysis of adsorbed gas condensated on the clevage crystal surfaces of indium and gallium chalcogenides = Оже-електронна спектроскопія адсорбованих газових конденсатів на поверхнях сколювання кристалів халькогенідів індію та галію / P. Galiy // Фіз. зб. - Л., 1998. - Т. 3. - С. 104-112. - Библиогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж68777 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Mamikonova V. M. Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films = Вплив імпульсної термообробки на фотоелектричні властивості локально вирощених плівок полікристалічного кремнію / V. M. Mamikonova, F. D. Kasimov, G. P. Kemerchev // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 70-75. - Библиогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Evtukh A. A. Investigation of electron and hole tunneling through thin silicon dioxide films = Дослідження тунелювання електронів і дірок крізь тонкі плівки двохокису кремнію / A. A. Evtukh // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 10. - С. 1087-1093. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Evtukh A. A. Investigation of electron field emission from polycrystalline silicon films = Дослідження електронної польової емісії з плівок полікристалічного кремнію / A. A. Evtukh // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 7. - С. 834-840. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Panchekha P. A. Modulated structure of fullerene - bismuth vacuum deposits = Модульована структура вакуумних конденсатів фулерен - вісмут / P. A. Panchekha, A. L. Toptygin // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 5-6. - С. 610-613. - Библиогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Сопінський М. В. Вплив умов отримання плівок PbIsub2/sub на їх структуру та фотостимульовану коагуляцію міді в системах PbIsub2/sub - Сu / М. В. Сопінський // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 78-85. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Манойлов Э. Г. Гистерезис вольт-амперных характеристик кремниевых нанокомпозитных пленок / Э. Г. Манойлов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 142-146. - Библиогр.: 6 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Мельничук О. В. Дослiдження тонких плiвок ZnO на поверхнi SiC 6H методом ІЧ спектроскопiї / О. В. Мельничук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 146-154. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Методом IЧ спектроскопії відбивання в області залишкових променів досліджені текстуровані шари ZnO на SiC 6H, одержані плазмохімічним осадженням із газової фази. Комп'ютерний дисперсійний аналіз IЧ спектрів дозволив визначити концентрацію, рухливість та питому провідність електронів у плівках ZnO та підкладинках SiC 6H при орієнтації Е перпендикулярно С. Теоретичні розрахунки задовільно узгоджуються з експериментальними результатами. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Вашпанов Ю. О. Електронні властивості та адсорбційна чутливість тонких плівок селеніду кадмію з модифікованою поверхнею / Ю. О. Вашпанов // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 8. - С. 1017-1021. - Бібліогр.: 24 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Савчин В. Катодолюмінесцентні дослідження поверхні сколу шаруватого кристала моноселеніду індію в процесі термообробки на повітрі / В. Савчин // Фіз. зб. - Л., 1998. - Т. 3. - С. 113-123. - Бібліогр.: 31 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж68777 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Тетьоркін В. В. Край поглинання варізонних плівок Hgsub1 - ix/i; /subCdsub; ix/i; /subTe, вирощених методом рідкофазної епітаксії / В. В. Тетьоркін, З. Ф. Івасів, Ф. Ф. Сизов // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 9. - С. 1128-1132. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Венгер Е. Ф. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл - InP и металл - GaAs / Е. Ф. Венгер, Р. В. Конакова, Г. С. Коротченков, В. В. Миленин, Э. В. Руссу, И. В. Прокопенко; ред.: Р. В. Конакова, Г. С. Коротченков; НАН Украины. Ин-т физики полупроводников. - К., 1999. - 233 c. - Библиогр.: 76 назв. - рус.
Шифр НБУВ: ВА594687 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Валах М. Я. Оптичні властивості SiOsub2/sub-плівок, імплантованих іонами кремнію та вуглецю / М. Я. Валах, В. О. Юхимчук, В. Я. Братусь, Є. Г. Гулє // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 10. - С. 1065-1069. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Бекетов Г. В. Послойный рост эпитаксиальных слоев PbTe и свойства гетеропереходов на их основе / Г. В. Бекетов, С. П. Мовчан, Ф. Ф. Сизов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 139-145. - Библиогр.: 7 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Пляцко С. В. Структурні властивості шарів HgCdTe, вирощених методом лазерної епітаксії на підкладках кремнію / С. В. Пляцко, М. М. Вергуш, П. М. Литвин, Ю. М. Козирєв, С. А. Шевляков // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 3. - С. 360-364. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського