Получены компактные инвариантные соотношения рекуррентного типа для последовательного расчета диады импеданса параллельных слоев из одноосного однородного магнитодиэлектрика. Предложенные формулы, образующие основу быстродействующего алгоритма для расчетов на ЭВМ, проиллюстрированы путем расчета коэффициентов отражения плоской волны от плавнонеоднородной анизотропной пластины.

Розглядається метод оптимізації складних багатоекстремумних функцій від багатьох змінних, що задовольняють ряду умов, зі спеціальним пошуком початкових наближень та застосування цього методу до синтезу фазоізотропних багатошарових діелектричних покриттів з заданими властивостями.

Досліджено вплив надтонких діелектричних покриттів на електростатичну активність неселективної поверхні діелектриків. Запропоновано теоретичний метод оцінки електростатичної активності шаруватих діелектричних структур. Запропонований підхід дозволяє розрахувати електростатичну активність діелектричної (напівпровідникової) поверхні з різними товщинами діелектричних покриттів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO2-Nd2O3, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Установлено, что данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использованы для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO2-Nd2O3.

The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO2-Nd2O3, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results ofexperiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HfO2-Nd2O3.Z

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: тонкие сегнетоэлектрические пленки, металлические электроды
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.412 + В379.326 + В379.7

Рубрики:

Сегнетоелектрики

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж25208 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження дисперсійних характеристик багатопровідних зв'язаних смужкових ліній з використанням моделі діелектричного простору та числових даних, одержаних у квазістатичному наближенні. На основі стаціонарного функціонала отримано прості аналітичні формули, які описують дисперсійні властивості багатопровідних зв'язаних смужкових ліній, які є правдиві у всій частотній області. Значну увагу приділено числовому аналізу дисперсії у даних структурах.

Розглянуто питання формування та електричної релаксації поляризованого стану в активних органічних діелектриках полівінілденфториду, його сополімерах з три- та тетрафторетиленом, а також у сополімері вінілденціаніду з вінілацетатом за термостимульованих та ізотермічних умов і роль у цих процесах об'ємного заряду. Встановлено, що поляризація у середніх полях неоднорідна вздовж товщини зразка внаслідок інжекції зарядів та розділення власних носіїв заряду. У сильних полях кристалізація однорідна вздовж товщини плівки. Визначено, що поляризація та об'ємний заряд, який виникає внаслідок інжекції або розділення зарядів, утворюють самоузгоджену систему. Захоплений на границях поляризованих областей заряд компенсує деполяризуюче поле і стабілізує залишкову поляризацію. Запропоновано модель формування поляризації у сегнетоелектричних полімерах з урахуванням глибокого захоплення зарядів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено оптичні властивості світлоадаптованих діелектричних плівкових нанокомпозитних структур (ПНС) на базі бактеріородопсину (БР). Розроблено серію плівкових структур БР нового складу з вмістом нітроген-, галоген- та сульфурвмісних сенсибілізувальних речовин і визначено їх оптичні параметри. Доведено, що введенням сенсибілізувальних речовин можна змінювати оптичні властивості ПНС на базі БР у широких межах. Проведено адсорбційно-кінетичні дослідження ПНС БР для визначення впливу та механізму дії сенсибілізувальних речовин на їх фотоцикл та інші властивості. Досліджено кінетику оптичного поглинання ПНС на базі БР на трьох довжинах хвиль та побудовано кінетичну модель фотоциклу БР. Виявлено характерні відмінності кінетики оптичного поглинання ПНС на базі БР з вмістом сенсибілізувальних речовин та без них залежно від рівня вологості. Розглянуто можливість практичного використання ПНС БР у галузі радіоелектроніки.

  Скачати повний текст

У межах статистичної теорії випадкових полів у сильно поляризованих матеріалах одержано функцію розподілу радіуса кореляції в релаксорних сегнетоелектриках, досліджено її залежність від температури для різних станів сегнетоелектрика (впорядкований стан, мішаний стан сегнетоелекричного скла та фазу дипольного скла). Запропоновано метод розрахунку фазових діаграм твердих розчинів релаксорних та впорядкованих сегнетоелектриків. З використанням феноменології Ландау - Гінзбурга - Девоншира доведено, що короткозамкнуті монодоменні сегнетоелектричні плівки можна з високою точністю описувати вільною енергією об'ємного матеріалу з перенормованими коефіцієнтами, залежними від температури, товщини плівки та екстраполяційних довжин. Показано, що врахування поля деполяризації не призводить до суттєвих змін, якщо екстраполяційні довжини набагато більші, ніж кореляційна довжина. Показано, що низькочастотна сприйнятливість сегнетоелектричних плівок описується подібно до такої ж величини для об'ємної системи, однак статична сприйнятливість та власна частота суттєво залежать від товщини плівки. Аналітично досліджено залежність частоти м'якої моди коливань такої системи від товщини.

Індекс рубрикатора НБУВ: В279.324,022 + В379.326,022

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: РА309143 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463 + В379.326

Рубрики:

Штучні абразивні матеріали

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: РА308696 Пошук видання у каталогах НБУВ