Індекс рубрикатора НБУВ: З843.413

Рубрики:

П'єзоелектрики

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З845.7-01

Рубрики:

Хвилевідні лінії передачі. Хвилеводи та об'ємні резонатори

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено порівняльні експериментальні та теоретичні дослідження процесів перенесення заряду у двовимірному електронному газі в структурі GaAs/AlGaAs під дією п'езоактивних акустичних коливань ультразвукової частоти. Експериментально зареєстровано зміни спектра фотолюмінесценції та її просторового розподілу в збуджувальному високочастотному п'єзоелектричному полі. Наведені дані добре узгоджуються зі змінами, одержаними за допомогою числового моделювання. Показано, що нормальна до площини GaAs складова п'єзоелектричного поля здатна впливати на процеси перпендикулярного перенесення заряду у структурі. Зареєстровано перегин на вольт-амперній характеристиці структури, характерний для резонансного тунелювання крізь бар'єрні шари, та запропоновано відповідну модель вигину зон у п'єзоелектричному полі.

  Скачати повний текст

Висвітлено механізми росту плівкових матеріалів. Наведено класифікацію плівкових наноструктур. Подано інформацію про електронні властивості магнетиків. Розглянуто фізичні явища у плівкових спінтронних структурах. Охарактеризовано принципи функціонування інформаційних пристроїв. Описано прилади та пристрої спінтроніки: датчики магнітного поля на основі одно- і багатошарових плівок, датчики з парною характеристикою вхід - вихід і з непарною характеристикою вхід - вихід, спінові транзистори, датчики на основі ефекту гігантського магнітоопору.

Викладено фізичні основи спінової електроніки. Охарактеризовано стан і перспективи сучасної науки про спіни елементарних частинок. Висвітлено фізичні принципи створення та керування спіновою орієнтацією. Описано механізми релаксації спінів у матеріалах різної породи. Розглянуто особливості спінових явищ у низькорозмірних структурах. Обгрунтовано ключові властивості матеріалів спінтроніки та принципи функціонування пристроїв на їх основі.

Описано особливості зонної структури деформованих нанодротів InР різного діаметра. Показано, що вигин квантових дротів здатний створити віддалені від поверхонь циліндричного дроту локальні мінімуми у зоні провідності та валентній зоні. Цей результат відкриває нові можливості керування часом життя фотозбуджених носіїв заряду шляхом їх утримання на цих мінімумах, а також величиною фотонапруги у пристроях перетворення сонячної енергії на квантових дротах. Робота переслідує загальну мету розробити нові методи функціоналізації наноструктурованих поверхонь з використанням механічної деформації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26 в734.5

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу скінченних елементів проведено розрахунки пружних полів в неоднорідних SiGe самоорганізованих квантових точках. Виявлено відмінності цих полів у порівнянні з наноострівцями постійного складу. Результати розрахунків засвідчують, що величина деформацій у квантових точках зменшується з ростом ступеня їх неоднорідності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.26

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.25

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.255

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Шляхом хімічного осадження розчину на основі германію здійснено обробку поверхні кремнієвих пластин. За допомогою Фур'є-спектрів інфрачервоного поглинання проаналізовано особливості хімічних зв'язків у приповерхневій області пластин Si після їх функціоналізації. З використанням методу кінетики загасання поверхневої фотоерс досліджено особливості процесів рекомбінації фотогенерованих носіїв заряду після обробки поверхні кремнію. Виявлено, що запропонована методика функціоналізації поверхні зумовлює збільшення часу релаксації нерівноважннх носіїв заряду.

В роботі використано метод нерівноважної молекулярної динаміки для дослідження впливу деформацій на теплопровідність SiGe гетероструктур з квантовими точками. Для моделювання теплопровідності кремній-германієвих гетероструктур застосовано емпіричні потенціали Стіллінджера - Вебера і Терзофф. Проведено вивчення залежності коефіцієнта теплопровідності від гідростатичної та одновісної деформацій. Показано, що теплопровідність SiGe гетероструктур неперервно зменшується (збільшується) у разі зміни гідростатичної (одновісної) деформації від деформації стиснення до деформації розтягу. Для з'ясування фундаментальних фізичних механізмів проаналізовано швидкості та теплоємність, пов'язані з фононними модами. Також розраховано теплопровідність SiGe гетероструктур за T = 300 К з різним об'ємним вмістом квантових точок. Встановлено, що теплопровідність гетероструктур нелінійно зменшується у разі зростання об'ємної частки нановключень. Одержаний результат пояснюється зростанням ймовірності фононного розсіювання на границях поділу. Виявлені в роботі закономірності є важливими для термоелектричних застосувань SiGe гетероструктур з квантовими точками.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.2 + В371.21 + В379.25

Рубрики:

Наноматеріали

Наноструктури

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ