Предложена методика оценки распределения напряжений и прогибов в многослойной полупроводниковой пластине после различных видов механической обработки. Приводится пример ее использования для пооперационного прогнозирования напряженно-деформированного состояния при изготовлении кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией.

By the method of double-crystal X-ray diffractometry, we have studied the influence of mechanical stresses caused by ion implantation and by grinding one of the surfaces of crystals GaAs on the redistribution of point defects in the near-surface region. The nonmonotone character of a relaxation of deformations in the system "implanted layer - matrix - polish layer", which consists in different displacement speeds of point defects in the fields of elastic deformations, is explained.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.1 + В379.26

Рубрики:

Теорії напівпровідників і діелектриків

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147 + В379.26 + Г522.1

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Кристалічні структури неорганічних сполук

Шифр НБУВ: ВА636572 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Обнаружено и исследовано явление аномальной звуковой прозрачности в образцах Ga высокой чистоты в условиях эффекта отклонения, обусловленное резонансным связыванием высокочастотных упругих волн со слабозатухающими собственными электромагнитными волнами металла.

За допомогою методу тривалої мікротвердості досліджено вплив пластичного деформування й електронного збудження на релаксацію мікротвердості кремнію. Показано, що за умов дії вказаних зовнішніх факторів характер релаксації мікротвердості корелює з характером динамічної поведінки приповерхневих дислокацій. Припущено, що виявлений немонотонний характер кривих мікротвердість - час визначається як власними точковими дефектами, так і домішковими атмосферами Коттрелла в околі дислокацій в приповерхневих шарах кремнію.

У рамках моделі Мотта - Набарро оцінено величини компонент тензора пружних напружень навколо виділень Te в кристалах CdTe, HgTe, CdHgTe та енергію пружності на одиницю об'єму утвореного вкраплення. Виявлено, що області матриці поблизу виділень мають більшу мікротвердість, ніж на віддалі від них, що пояснюється залишковими напруженнями. Встановлено, що дрібнодисперсні вкраплення Hg і Te у ртутних сполуках спричинюють немонотонності температурних залежностей мікротвердості та неусталену повзучість за умов індентування.

Ключ. слова: титанокремнистый карбид Ti_3SiC_2, краевые дислокации, межзеренные микротрещины, дислокационная ячеистая структура, проскальзывание зерен
Індекс рубрикатора НБУВ: К390.45-18 + В379.26

Рубрики:

Гаряче пресування. Спікання металевих порошків і металокерамічних сумішей

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено електронний механізм поглинання гіперзвуку в прямокутному квантовому дроті - одну із можливих структур мезо- та наноелектроніки. Розраховано дисперсійні криві обмежених акустичних фононів для дроту GaAs з вільною поверхнею та різними поперечними розмірами. Визначено коефіцієнти поглинання обмежених фононів гіперзвуку вздовж дроту з врахуванням квантування електронного спектра й екранування деформаційної та п'єзоелектричної електрон-фононної взаємодії. Числові розрахунки проведено для низькотемпературного поглинання гіперзвуку у прямокутному квантовому дроті GaAs. Показано, що спектральні та температурні залежності поглинання суттєво визначаються квантово-розмірними ефектами.

На основе экспериментов по большим пластическим деформациям металлов сделаны обобщения и сформулированы физические предпосылки модели структурной эволюции материала. Эта модель базируется на взаимосвязи между процессами его фрагментации и разрушения, которые предложено рассматривать как дополняющие друг друга. Для обоснования положенных в основу модели гипотез приведены физические предпосылки и экспериментальные данные. Изучено влияние на формирование деформационной структуры материала таких факторов, как высокое гидростатическое давление и немонотонность деформирования. Рассмотрены основные сценарии фрагментации для материалов с высокой и низкой энергией дефектов упаковки. Обнаружена взаимосвязь с теорией фракталов и обоснована возможность ее применения к исследуемым явлениям. Сделаны выводы по проектированию процессов больших пластических деформаций, направленных на получение материалов с ультрамелкозернистой структурой.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено спектри електронного парамагнітного резонансу в монокристалах ZnS:Mn. З'ясовано закономірності протікання процесів зміни структури та локальної симетрії домішкових центрів у всьому об'ємі досліджених пластично деформованих зразків. Показано, що за допомогою напрямлених дозованих деформацій можна одержати кристали ZnS з різним співвідношенням об'ємів різноорієнтованих областей сфалериту за умови концентрацій дефектів пакування від початкового значення до нуля.

Experimental confirmations of the influence of the free surface of a chip on processes of plastic deforming under indentation such as a decrease of the effective activation energy of dislocations with reduction of load on the indenter and a considerable decrease of temperature of the beginning of polygonization processes, when annealing microhardness rosettes in the field of small impresses, are obtained. A possibility of dislocation motion by means of creeping at temperatures lower than brittleness threshold temperature was shown on the example of GaAs.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663-18 + В379.26

Рубрики:

Захист металів від корозії покриттями

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69231 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26в73

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено принципи узагальненого підходу та алгоритм розв'язку плоскої задачі статичної електричної пружності з урахуванням п'єзоелектричного ефекту. Опрацьовано алгоритми, що грунтуються на запропонованих методах, а також автоматизовано математичну симуляцію взаємопов'язаних електричних і механічних полів в неоднорідних п'єзоелектричних пластинах під прямим п'єзоелектричним ефектом.

З'ясовано, що в кристалах CdTe локальні поля пластичних і пружних деформацій, викликаних механічними пошкодженнями поверхні, призводять до локальних відхилень від стехіометричного складу (до 5 - 7 %) у пружно стиснутих областях убік збіднення Cd, а пружно розтягнутих - убік збагачення Cd.