Проаналізовано зміни параметрів зонної структури внаслідок деформації. Розраховано величини цих змін для структури багатократних квантових ям GaAs/AlGaAs. Підкреслено роль магнітофононного резонансу як методу контролю теплових напружень у багатократних квантових ямах у разі паралельного перенесення носіїв заряду.

Варіаційним методом вивчено вплив однорідного магнітного поля на екситон у квантових ямах GaAs/AlAs I та II типів. Використано анізотропну модель надгратки. Визначено залежності середніх значень відстаней між електроном і діркою від товщин шарів і магнітного поля. Результати обчислень вказують на збільшення енергії утворення екситонів зі зростанням магнітного поля та її зменшення у разі збільшення геометричних параметрів структури, що добре узгоджується з відповідними експериментальними даними.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.271

Рубрики:

Квантова теорія

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.222

Рубрики:

Квантова теорія

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.22

Рубрики:

Квантова теорія

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати експериментальних досліджень непружного розсіяння двовимірних носіїв, просторово локалізованих у самоузгодженому потенціалі мілких донорних домішок, розташованих у межах атомного шару кристалічної гратки GaAs. За допомогою методу часопролітної спектроскопії довгохвильових акустичних фононів отримано інформацію про енергетичні втрати гарячих електронів, зумовлені непружним розсіянням носіїв з випромінюванням фононів. Встановлено, що ефективність емісії акустичних фононів двовимірним електронним газом зменшується із зростанням електричного поля розігріву носіїв. Генерація оптичних фононів експоненціально швидко зростає з досягненням критичного значення поля розігріву носіїв. Розроблено новий метод вимірювання температури двовимірного електронного газу в разі його розігріву зовнішнім електричним полем шляхом вивчення ефекту фононостимульованої провідності. Вивчено явище слабкої локалізації в таких структурах. Вперше показано, що явище фононостимульованого струму пов'язано з руйнуванням квантової інтерференції носіїв, яка зумовлює явище слабкої локалізації.

Висвітлено основні аспекти розмірного квантування в напівпровідникових структурах. Особливу увагу приділено розгляду принципово нових фізичних явищ у тонких плівках та інверсійних шарах метал-діелектрик-напівпровідникових структур. Проаналізовано умови реалізації квантового розмірного ефекту (вимоги щодо рухливості, концентрації, температури).

Проаналізовано оптичні властивості екситонів у квазі-нульвимірних напівпровідникових структурах. Висвітлено основні типи надграток. Описано класифікацію, особливості енергетичного спектра електронів та оптичні спектри напівпровідникових надграток. Розглянуто оптичні властивості композиційних надграток.

Досліджено електронний механізм поглинання гіперзвуку в прямокутному квантовому дроті - одну із можливих структур мезо- та наноелектроніки. Розраховано дисперсійні криві обмежених акустичних фононів для дроту GaAs з вільною поверхнею та різними поперечними розмірами. Визначено коефіцієнти поглинання обмежених фононів гіперзвуку вздовж дроту з врахуванням квантування електронного спектра й екранування деформаційної та п'єзоелектричної електрон-фононної взаємодії. Числові розрахунки проведено для низькотемпературного поглинання гіперзвуку у прямокутному квантовому дроті GaAs. Показано, що спектральні та температурні залежності поглинання суттєво визначаються квантово-розмірними ефектами.

В адіабатичному наближенні розглянуто стани електронів та дірок, що взаємодіють з коливаннями гратки в одновимірних напівпровідниках. Помірно сильна електрон-фононна взаємодія призводить до автолокалізації носіїв з утворенням поляронних і біполяронних станів. Одна квазічастинка автолокалізується в електронний або дірковий полярон. Дві квазічастинки внаслідок взаємодії з деформацією гратки зв'язуються в біполяронні стани, що відповідають (і) електронним або дірковим біполяронам з подвійним зарядом і нульовим спіном та (іі) нейтральним локалізованим електрон-дірковим парам у триплетному стані. Автолокалізація носіїв супроводжується самоузгодженою деформацією молекулярного ланцюжка, що спричинює появу локалізованих електронних рівнів у забороненій енергетичній зоні. Наявність цих рівнів проявляється в оптичних спектрах поглинання одновимірних напівпровідників у вигляді характерних спектральних ліній, що розташовані нижче порога міжзонних переходів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.24

Рубрики:

Квантова теорія

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано внески в енергетичний спектр екситона в напівпровідниковій квантовій точці (КТ), які дають кінетична енергія електрона і дірки, енергія кулонівської взаємодії між ними й енергія поляризаційної взаємодії електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу КТ - діелектричне середовище. Прослідковано граничний перехід спектра екситона в КТ у спектр об'ємного екситона.

На прикладі кристала GaSe розглянуто екситонні стани у шаруватому напівпровіднику, електронний та дірковий спектри якого описуються законами дисперсії Фіваза. Показано, що задача розрахунку спектра екситонів Ваньє - Мотта у такому кристалі зводиться до розв'язання диференціального рівняння, яке містить операторні ланцюгові дроби. Одержано вираз для закону дисперсії екситонів, за допомогою якого розраховано дійсну та уявну частини масового оператора, що описує екситон-фононну взаємодію.

The work is devoted to electron affinity spectrum calculation for 2D carbon molecule in framework of quantum discrete model. The kinetic electric current through the nanocarbon graphen quantum bridge adsorbed on metallic or semiconductor electrodes is considered. The current-voltage characteristics and the line shape of spontaneous irradiation that arises due to the inverse population of the molecule under current affinity levels are calculated.

Добре відому модель Кане порівняно з новою моделлю багатокомпонентної обвідної функції і продемонстровано багато переваг останньої.

Ключ. слова: рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, эмиссионная спектроскопия, электронная структура, наноструктурные оксиды
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.2

Рубрики:

Квантова теорія

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За першими принципами проведено детальні розрахунки зонної структури анізотропного термоелектричного кристала CdSb в основних напрямках зони Бриллюена. Підтверджено передбачувані з наближення порожньої гратки основні особливості формування зонного спектра сполуки в околі забороненої зони. У найпростішому наближенні та на основі концепції мінімальних комплексів зон доведено той факт, що кристал CdSb не є шаруватим кристалом.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.274 + В379.13

Рубрики:

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32-01 + В372.314.2 + В379.13

Рубрики:

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Екситони. Екситонні рівні

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ