Описано автоматизований вимірювач параметрів напівпровідникових приладів, виконаний на основі персонального комп'ютера типу ІВМ РС/АТ. Результати вимірювань використовуються при формуванні бібліотек математичних моделей напівпровідникових виробів (біполярних та польових транзисторів, діодів, стабілітронів) для програм схемотехнічного моделювання типу PSpice. Числові значення параметрів моделей визначаються за допомогою оригінального програмного забезпечення.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-046

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведен анализ тепловых и частотных свойств диода Ганна с многокольцевым катодом. Показано, что расширение частотного диапазона диода Ганна, увеличение эффективности и входной непрерывной мощности, подводимой по питанию, возможно в случае выполнения области катода в виде концентрических колец, инжектирующих ток в активную область прибора, разделенных областями, ограничивающими инжекцию тока. Исследованы тепловые свойства диода.

Наведено принципи побудови багатостійкої логічної схеми на НВЧ мікроелектронних структурах, яка моделює КХЧ керуючу систему живої клітини.

Запропоновано модель, що описує вплив параметрів МОН-структури на крутизну вольт-фарадної характеристики. Результати роботи використано у проектуванні напівпровідникових приладів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.39

Рубрики:

Інші типи напівпровідникових тріодів

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора.

Наведено результати теоретичних досліджень впливу додаткових конструкційних параметрів на важливі характеристики резонаторної системи: зсув частот коливань, розділення між модами коливань, вплив на вищі смуги пропускання. Базуючись на графічному матеріалі, можна визначати вищезгадані характеристики та за їх допомогою отримувати резонаторну систему таких приладів.

Представлены результаты теоретических исследований влияния дополнительных конструкционных параметров на важные характеристики резонаторной системы: сдвиг колебаний, разделение между видами колебаний, влияние на высшие полосы пропускания. Основываясь на графическом материале, можно определить вышеупомянутые характеристики и с их помощью оптимизировать резонаторную систему таких приборов.

Influence of complementary design parameters on microwave devices resonant system performances often arise. Results of theoretical research into the influence of the complementary desing parameters on such important resonant system performances as frequency shift, mode separation are presented. Based on a graphical material one can define the above mentioned characteristics and optimize such device resonant system using the characteristics.

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень впливу морфології омічних контактів (ОК) на надвисокочастотні (НВЧ) параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ). Доведено, що основні НВЧ параметри ПТШ залежать від морфології ОК. Показано, що запропонована секційна модель ПТШ для врахування неоднорідностей дає можливість із високим ступенем достовірності в широкому температурному діапазоні вирахувати коефіцієнт підсилення за потужністю і шумовою температурою ПТШ, що підтверджено експериментальними результатами.

Наведено результати графоаналітичного аналізу типових каскадів підсилення на біполярних транзисторах. Запропоновано приклади застосування графоаналітичного методу під час аналізу однотранзисторних каскадів підсилення. Висвітлено особливості графоаналітичного аналізу двотранзисторних каскадів підсилення.

Показано, що аналіз гармонік сигналу-відгуку, які генеруються нелінійними об'єктами при дії гармонічного тест-сигналу з постійною складовою, що регулюється, можна розглядати як процес вибіркової фільтрації варіаційних ознак макроскопічних характеристик таких об'єктів, наприклад, вольтамперних характеристик. Знайдено вагові функції та частотні характеристики такого процесу. З'ясовано, що необхідно узгоджувати частотні характеристики процесу зі спектром інформативних варіаційних ознак макроскопічних характеристик об'єктів.

Викладено принципи дії, узагальнені характеристики і параметри напівпровідникових (монолітних) і гібридно-інтегральних схем, а також модулів НВЧ різного призначення. Розглянуто їх позитивні якості та недоліки; особливості конструкції, що впливають на експлуатаційні характеристики; вказані основні елементи та компоненти; наведені значення параметрів ІС різного призначення; вказані напрями їх удосконалення.

Досліджено вплив динамічних втрат у транзисторах на ККД та оптимальне навантаження транзисторного інвертора з індуктивно-ємнісним перетворювачем і визначено ступінь цього впливу.

Розглянуто умови формування НВЧ сигналів фотопровідності високоомних напівпровідників у процесі імпульсної та гармонічної фотомодуляцій провідності, які виділяються за допомогою складового циліндричного РВП з Н012 видом коливань. Досліджено особливості вимірювання параметрів напівпровідників за високих рівнів фотозбудження. Доведено, що у більшості випадків фазовий метод вимірювання часу життя в напівпровідниках забезпечує високий ступінь адекватності досліджень.

Рассмотрены условия формирования СВЧ сигналов фотопроводимости высокоомных полупроводников при импульсной и гармонической фотомодуляции проводимости, выделяемых с помощью составного цилиндрического РИП с Н012 видом колебаний. Исследованы особенности измерения параметров полупроводников при высоких уровнях фотовозбуждения. Доказано, что в большинстве случаев фазовый метод измерения времени жизни в полупроводниках обеспечивает высокую степень адекватности исследований.

Conditions of hidht-ohmic semiconductior photoconductivity microwave signals formation with the pulse and harmonic photomodulation of conductivity, these signals being extract ed with oscillation mode composite cylindrical resonator, are considered. Recularities of seviconductors parameters measurement at high levels of photo excitation are studied. It is shown that the plase method of life-time measurement in semiconductors offer a high degree of the research adequacy in most cases.

Предложены твердотельные источники мощности с применением кольцевых лавинно-пролетных диодов с распределенными параметрами. Показана возможность значительного увеличения средней выходной СВЧ-мощности без использования алмазного теплоотвода. Конструкция диода позволяет создавать высокоэффективные сумматоры мощности и когерентные передающие устройства на их основе в диапазоне миллиметровых волн.

На базі нелінійної моделі динамічного транзисторного негатрона проведено аналіз нелінійних спотворень, які виникають за режиму перетворення частоти. Визначено обмеження використання функціональних рядів Вольтерра для розрахунку транзисторних негатронів за нелінійного режиму та за умов стійкої роботи за допомогою інваріантного коефіцієнта стійкості.

Досягнуто покращання властивостей транзисторного інвертора з широтно-імпульсною модуляцією завдяки використанню режиму несиметричної комутації і синтезу оптимального управління транзисторами на основі функцій Ляпунова.

Описана модель ячейки периодической структуры диода Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов. Показано, что эффективность и частотный диапазон диода Ганна с островковыми омическими катодными контактами существенно увеличиваются, если островковые омические контакты заменить на островковые инжекторы "горячих" электронов.

Охарактеризовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники. Проаналізовано роботу генератора коливань у лінійному та нелінійному режимах за умов використання від'ємного опору як основного елемента перетворювачів. Основну увагу приділено вольт-амперним характеристикам, чутливості, функціям перетворення частотних перетворювачів температури, оптичному випромінюванню, магнітній індукції та тиску. Проведено експериментальне дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних перетворювачів, а також запропоновано їх оптимальні схеми та структури.

Досліджено фізичні явища у напівпровідниках і частотні властивості транзистора. Значну увагу приділено напівпровідниковим діодам, частотній залежності коефіцієнта передачі струму, граничним частотам. Визначено особливості маркування та класифікації транзисторів. Проаналізовано деякі особливості виготовлення інтегральних мікросхем.