Пошуковий запит: (<.>U=з861-03<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 26
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Khomyak V. V. Tin and indium oxides as promising materials for optoelectronic devices. — 2005 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
|
| 2. |
Невлюдов И. Ш. Анализ физических явлений, возникающих при стыковке одномодовых оптических волокон в оптических соединительных устройствах. — 2008 // Вопр. проектирования и пр-ва конструкций летат. аппаратов.
|
| 3. |
Куцай О. М. Оптимізація оптичних характеристик захисних просвітлюючих покриттів із аморфних гідрогенізованих вуглецевих плівок : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.02.01. — К., 1998
|
| 4. |
Комаров Ф. Ф. Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А3В5 в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники. — 2011 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 5. |
Осинский В. И. Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии III-нитридных структур. — 2012 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
|
| 6. |
Mazur Yu. I. Quaternary semimagnetic Hg1-x-yCdxMnySe crystals for optoelectronic applications // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
| 7. |
Петров В. В. Материалы перспективных оптоэлектронных устройств : [монография]. — К.: Наук. думка, 2012
|
| 8. |
Гіріч О. О. Спектральні властивості метаматеріалів на основі магнітних та напівпровідникових структур в міліметровому діапазоні довжин хвиль : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.03. — Х., 2013
|
| 9. |
Возняк Л. Ю. Світловипромінювальні структури на основі трихінолінату алюмінію (АIg3), модифіковані нанорозмірними плівками похідного піразоліну та йодиду міді : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.20. — Львів, 2013
|
| 10. |
Бурий О. А. Динаміка енерго- та масоперенесення в активованих кристалах YAG, YAP, LiNbO3 та пристроях квантової електроніки на їх основі : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07. — Л., 2013
|
| 11. |
Мішуров Д. О. Методи визначення нелінійно-оптичних властивостей полімерних матеріалів : (огляд) // Полімер. журн.. - 2015. - 37, № 2.
|
| 12. |
Wang Lie-long Fabrication and electrical characteristics of nano black phosphorus thin film transistor // Functional Materials. - 2016. - 23, № 3.
|
| 13. |
Филатов Ю. Д. Алмазное полирование кристаллических материалов для оптоэлектроники // Сверхтвердые материалы. - 2017. - № 6.
|
| 14. |
Ревуцька Л. О. Дослідження структурних властивостей халькогенідних стекол As2S3, легованих сріблом // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2016. - Вып. 51.
|
| 15. |
Лєбєдєва Т. С. Вплив структури плівок алюмінію та режимів формовки пор на нанопоруватий анодний оксид алюмінію для оптичних сенсорів // Комп'ютер. засоби, мережі та системи : зб. наук. пр. - 2019. - № 18.
|
| 16. |
Лєбєдєва Т. С. Вплив структури плівок алюмінію та режимів формовки пор на нанопоруватий анодний оксид алюмінію для оптичних сенсорів // Комп'ютер. засоби, мережі та системи : зб. наук. пр. - 2019. - № 18.
|
| 17. |
Бондаренко В. В. Вплив особливостей зонної структури та механізмів розсіяння на кінетичні процеси в об'ємних та шарових структурах халькогенідів свинцю : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07. — К., 1993
|
| 18. |
Гевелюк С. А. Определение фотостимулированных изменений комплексной диэлектрической проницаемости аморфных и кристаллических твердых тел : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07. — О., 1994
|
| 19. |
Бондаренко В. В. Вплив особливостей зонної структури та механізмів розсіяння на кінетичні процеси в об'ємних та шарових структурах халькогенідів свинцю : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07. — К., 1993
|
| 20. |
Гевелюк С. А. Определение фотостимулированных изменений комплексной диэлектрической проницаемости аморфных и кристаллических твердых тел : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07. — О., 1994
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
