Рассмотрена возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (T = 1050 градусов по Цельсию, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 - 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (T = 1000 градусов по Цельсию, газ-носитель азот, t = 1 мин).

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З861-03

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Оптоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"